2018年11月8日 · 专业文献指出：IMC是Intermetallic compound 的缩写，译为"介面合金共化物"。 广义上说是指某些金属相互紧密接触之介面间，会产生一种原子迁移互动的行为，组成一层类似合金的"化合物"，并可写出分子式。 在焊接领域的狭义上是指铜锡、金锡、镍锡及银锡之间的共化物。 其中尤以铜锡间之良性Cu6Sn5 (Eta Phase)及恶性Cu3Sn (Epsilon Phase)最为常见，对焊锡性及焊点可靠度 (即焊点强度)两者影响最大。 IMC的定义. ♦ 能够被锡铅合金焊料 (或称焊 …

2023年10月24日 · 三种柔软的IMC相(Cu 3 Au, AuCu, 和Au 3 Cu)活化能在0.8到1电子伏特之间,它们在高温(200-325oC)时候由于柯肯达尔效应容易降低强度, 强度的降低明显取决于微观结构、焊接质量和铜的杂质含量,

IMC全称为intermetallic（金属间化合物），金属化合物是两种不同金属原子按照一定比例进行化合，形成与原来两者晶格不同的新化合物。 金属化合物的形成是在两种不同金属的接触面上，通过原子的热扩散运动形成的； 在半导体封装中，我们的芯片PAD主要是由金或铝两种金属材料，bonding wire的材料就比较丰富了，有铝、铜、钯铜、金、银等材料； WB焊接四要素：压力 (（bond force),功率 (power)，时间 (time)，温度 (temperature)，WB的四要素共同加速界面的 …

在现代电子装联工艺中，电子组装焊接使用的是以锡基为主的软钎料，通过熔融的钎料合金与被焊金属表面之间生成金属间化合物（IMC），从而实现被焊接金属之间的电气和机械连接。 而这个过程经过了表面润湿、原子间扩散、溶解、冶金结合，涉及到物理学、化学、冶金学、材料学等多门学科，是一个种复杂的化学反应，而能否形成合适的金属间化合物（IMC）是良好焊点形成的标志。 焊点质量的判定，业内通常采用IPC的外观检验标准，特别是量化指标 接触角 ，但仅是通 …

imc 结合 层是通过化学药品腐蚀的方法，检查焊线后芯片 铝层和焊球异种金属之间相互接触形成的合金层 面积来判定。若 imc 覆盖面积太小（＜85%），说 明异种金属之间没有得到有效的原子之间渗透扩 散结合，存在着脱焊的风险。

2022年5月4日 · WB工艺采用热压超声键合技术，在一定温度及时间条件下，利用超声功率、压力共同作用于金球及焊接位置上，使接触面两种金属之间发生变形及原子扩散从而形成共金，实现die与package之间的可靠电路连接。

2022年5月17日 · IMC系Intermetallic compound 之缩写，笔者将之译为"介面合金共化物"。广义上说是指某些金属相互紧密接触之介面间，会产生一种原子迁移互动的行为，组成一层类似合金的"化合物"，并可写出分子式。在焊接领域的狭义上是指铜锡、金锡、镍锡及银锡之间的共化物。

引线键合 （WireBonding）是一种使用细金属线，利用热、压力、超声波能量为使金属引线与基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。 在理想控制条件下，引线和基板间会发生电子共享或原子的相互扩散，从而使两种金属间实现原子量级上的键合。 本文主要讲解引线键合的原理、工艺及常见失效分析等。 三种键合工艺. 超声焊接：超音波接合以接合楔头 (Wedge)引导金属线使其压紧于金属焊盘上，再由楔头输入频率20至60KHZ ，振幅20 …

2024年11月22日 · IMC全称为intermetallic（金属间化合物），金属化合物是两种不同金属原子按照一定比例进行化合，形成与原来两者晶格不同的新化合物。 金属化合物的形成是在两种不同金属的接触面上，通过原子的热扩散运动形成的； 在半导体封装中，我们的芯片PAD主要是由金或铝两种金属材料，bonding wire的材料就比较丰富了，有铝、铜、钯铜、金、银等材料； WB焊接四要素：压力 (（bond force),功率 (power)，时间 (time)，温度 (temperature)，WB的四要素共同 …

IMC是【Intermetallic Compound】的英文縮寫簡稱，依據白蓉生老師的說法，中文應該翻譯成【介面金屬共化物】或【介金屬】。 而IMC是一種化學分子式，不是合金，也不是純金屬。 既然IMC是一種化學分子組成，所以IMC的形成必須給予能量，這也就是為何錫膏在焊接過程中需要加熱的原因，而且錫膏的成份中只有純錫 (Sn)才會與銅基地（例如OSP, I-Ag, I-Sn表面處理的板子）或是鎳基地（ENIG表面處理的板子）在強熱中發生擴散反應，進而生成牢固的介面性IMC。 【合金 …