硅通孔 技术，英文全称：Through-Silicon Via，简写： TSV，即是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5D/3D 封装的关键工艺技术之一，同时还有一先进封装工艺技术就是： 玻璃通孔 （TGV），今天我们主要跟大家分享的是：硅通孔（TSV）工艺技术。 通过垂直互连减小互连长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间低功耗、高速通讯，增加带宽和实现小型化。 硅通孔（TSV）工艺技术是 晶圆级多层堆叠 技术中有 …

2024年11月21日 · 硅通孔技术，英文全称：Through-Silicon Via，简写：TSV，即是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5D/3D 封装的关键工艺技术之一，同时还有一先进封装工艺技术就是：玻璃通孔（TGV），今天我们主要跟大家分享的是：硅通孔（TSV）工艺技术。 通过垂直互连减小互连长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间低功耗、高速通讯，增加带宽和实现小型化。 硅通孔（TSV）工艺技术是晶圆级多层堆叠 …

In electronic engineering, a through-silicon via (TSV) or through-chip via is a vertical electrical connection that passes completely through a silicon wafer or die. TSVs are high-performance interconnect techniques used as an alternative to wire-bond and flip chips to create 3D packages and 3D integrated circuits.

2022年4月29日 · TSV，是英文Through-Silicon Via的缩写，即是穿过硅基板的垂直电互连。 如果说Wire bonding（引线键合）和Flip-Chip（倒装焊）的Bumping（凸点）提供了芯片对外部的电互连，RDL(再布线)提供了芯片内部水平方向的电互连，那么TSV则提供了硅片内部垂直方向的电互 …

2023年3月21日 · TSV (Through Silicon Via)中文为硅通孔技术。 它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。 （a） TSV封装(a)与叠层封装(b)对比图(图片来源：芯语) 2.TSV技术的优势. 高密度集成：通过先进封装，可以大幅度地提高电子元器件集成度，减小封装的几何尺寸和封装重量。 克服现有的2D …

2024年10月14日 · tsv工艺能够构建穿过衬底的垂直信号通路，并连接衬底顶部及底部的rdl形成三维的导体通路，因此tsv工艺是构建三维无源器件结构的重要基石之一。

2022年9月20日 · TSV 是一种穿通 Si 晶圆或芯片的垂直互连结构，可以完成连通上下层晶圆或芯片的功能，是晶圆级多层堆叠技术中有效提高系统整合度与效能的关键工艺。 TSV 工艺依据制程的先后可以分为先通孔、中通孔和后通孔 3 种技术方案。 先通孔是指在没有进行任何 CMOS 工艺前，先在空白 Si 片上制作通孔。 在该方案中，由于通孔需要经历后续所有CMOS 制造步骤，因此通孔的填充材料必须要能经受住高于1 000 ℃的全部热加工工艺。 因此，在先通孔方案中，最常 …

2024年1月15日 · 🟩硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5D/3D 封装的关键工艺之一。

2024年10月20日 · Bosch法是一种用于Si晶片的各向同性等离子体蚀刻技术，其中等离子体与反应室中混合的SF6、CF4和C4F8等氟化物气体碰撞，将气体分子转化为离子。 蚀刻主要是利用SF 6气体产生的反应离子来蚀刻硅，并用C4F8具有与聚四氟乙烯类似特性的在蚀刻过程中，与SF6气体一起供应形成抗蚀刻层的O2或CHF3 + C4F8气体以引起Si的连续蚀刻。 该工艺具有各向同性蚀刻的特性，但如果在-110℃的低温下进行，则在低温下化学反应减慢，呈现各向异性蚀刻的特 …

TSV 是用于精确连接堆叠芯片的垂直线路，通过在硅中刻蚀沟槽，然后填充绝缘衬里和金属线而形成。 TSV 可在芯片内各种元件之间或堆叠的芯片间实现高速通信，从而改善集成电路（IC）的性能、功能和密度。 使用 TSV 而不是凸点到 PCB 连接，设计人员可将性能提高约 100 倍，功耗降低约 1/15，具体取决于架构和运行负载。 根据通孔的构造方式，TSV 制作可分为三种方法：先通孔、中通孔和后通孔。 例如，“先通孔”工艺是从晶圆顶部的硅制作一个深通孔，随后是露出工 …