研究了两种反应离子蚀刻 (RIE) 工艺，以使用两种方法显示 SiO2 和 Si 之间的相对蚀刻选择性 佛罗里达州 碳氟化合物气体、CF4 和 CHF3。结果表明，与 CF4 (1.2:1) 相比，CHF3 具有更好的选择性 (16:1)。另一方面，CF4 的 SiO2 蚀刻速率约为 52.8 nm/min，比 CHF3快。

反应离子刻蚀（RIE）基于化学反应和物理轰击相结合的方式，通过引入特定的刻蚀气体和附加气体来去除目标材料。 刻蚀气体与待刻蚀材料发生化学反应，产生易于去除的副产物，而附加气体则有助于调整刻蚀选择比和改善刻蚀效果。 刻蚀过程中，等离子体中的离子撞击材料表面，加速化学反应，并确保刻蚀的均匀性和方向性。 四、反应离子刻蚀（RIE）的优缺点. 反应离子刻蚀（RIE）作为制作半导体集成电路的一种重要刻蚀工艺，具有一系列的优点和缺点。 1、优点. …

Reactive Ion Etch (RIE) Silicon Dioxide (SiO 2) with CF 4 Document No: Revision: Oxford 80 Plus Author: Meredith Metzler Page 1 1. Introduction The purpose of this document is to examine the etch properties of the Oxford 80 Plus RIE system. 2. Baseline Recipe Units: Gas flow rate: standard cubic centimeters per minute (sccm) Pressure: millitorr ...

2017年5月15日 · 二氧化硅（sio2）具有硬度高、耐磨性好、绝热性 [3－4] ，前，对sio2干法刻蚀工艺的研究较多但采用. 不同气体体系对sio2刻蚀进行对比研究的报道较. cf4、chf3+cf4、chf3+o2和少。采用chf3、

Etch Recipe using RIE#3 Recipe: 2.3mT, CHF 3 =5sccm, bias voltage=250 V (a very low surface damage) Etch Rate=6.55 nm/min (for the flood etch: no etch pattern!); 6.89 nm/min (for the PR patterned ridge, see Figure 1 below). Etch Selectivity (SiO 2 /PR) = 0.207/ (1.58-1.42) =1.29. (Prior to the SiO 2 etch, do O 2 plasma chamber clean: 50mT, O 2

2024年11月6日 · 二氧化硅(SiO2)具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、光透过率高、抗侵蚀能力强等优点以及良好的介电性质,在电子器件和集成器件、光学薄膜器件、传感器等相关器件中得到广泛应用。

2023年4月1日 · This paper investigates the process parameters affecting the sidewall angle of Mo and SiO 2 films based on the reactive ion etching (RIE) system, firstly, the photoresist mask with a certain sidewall angle was obtained by adjusting the hardening temperature and hardening time of the photoresist during the lithography process, and their effects ...

利用反应等离子刻蚀技术对SiO2进行干法刻蚀, 研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀面粗糙度、刻蚀均匀性等的影响。分析得出了刻蚀侧壁角度与刻蚀选择比以及抗蚀掩模自身的侧壁角度之间存在的数学关系, 这为如何获得垂直的刻蚀侧壁提供了参考。

2008年6月19日 · The reactive ion etching (RIE) of silicon and silicon dioxide in fluorocarbon plasmas is used in integrated circuit manufacture. Ion bombardment assists in achieving the etching anisotropy due to the synergism of chemical etching and ion-beam etching processes.

2024年11月5日 · 反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)是一种物理和化学作用相结合的干法刻蚀方法。 因为具有较高的刻蚀速度,大的选择比和良好的方向性等优点,使其在硅刻蚀技术中得到广泛的应用。