Analysis of Single Event Effect on SRAM Based on TCAD Simulation
Based on TCAD (Technology Computer Aided Design), single event effect of SRAM is simulated by using mixed-mode simulation module of heavy ion, in which the key NMOS is modeled in 3D for commercial 40 nm technology.
Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On …
2015年10月29日 · According to the layout topology of a 65 nm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) static random access memory (SRAM) arrays, the sensitive volumes (SVs) of off and on-transistors were calibrated by TCAD using novel circuit schematics.
SEU study of 4T, 6T, 7T, 8T, 10T MOSFET based SRAM using TCAD …
Abstract: In this paper radiation performance of 4T, 6T, 7T, 8T and 10T MOSFET based-SRAMs are studied using TCAD simulations. The minimum dose (critical dose) required to flip contents of the cell are extracted, compared and analyzed.
懒小木|Sentaurus TCAD的官方学习资料，包括一个隐藏的强大例 …
学习Sentaurus TCAD软件，官方提供的学习资料和例程，是非常重要和专业的学习资料之一。 本文章总结和介绍一下官方提供的学习资料和素材，最后一个是一个隐藏的例子库，里面包含了非常多有价值的源文件和工程，值得…
SRAM单元的单粒子效应三维敏感区形状参数模拟仿真方法
摘要: 为揭示静态随机存储器（SRAM）辐射效应以及内部电荷收集变化规律，从而为器件辐射效应及加固提供有效的仿真数据支撑，针对器件在轨单粒子翻转（SEU），提出一种SRAM单元的三维敏感区形状参数模拟仿真方法。 首先通过器件级和电路级仿真相结合的手段，利用计算机辅助设计（TCAD）构建三维模型；然后通过仿真获得重离子从不同方向入射后的单粒子瞬态电流，将此电流作为故障注入到65 nm SRAM单元的电路级模型中仿真SEU；最终得到65 nm SRAM单元的 …
基于TCAD的SRAM单粒子效应研究 - 道客巴巴
2016年9月13日 · Sentaurus TCAD 模拟能够详细反映器件各区域对能量沉积的影响以及各种加固技术对电荷收集的影响，并可以有效地缩短设计周期，降低成本。 器件／电路混合模拟可以将 HSPICE中的电路结构导入到Sentaurus TCAD 中的器件仿真工具Sdevice中，对关键器件或灵敏器件使用3D器件模型代替，通过节点进行连接后在 Sdevice中进行辐照效应的仿真。 已有研究表明，混合模拟得·9 4 3·《半导体光电》 2016 年 6 月第 37 卷第 3 期 逯中岳 等： 基于 TCAD 的 …
粒子入射条件对28 nm SRAM 单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD …
摘要： 利用器件仿真工具tcad，建立28 nm 体硅工艺器件的三维模型，研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28 nm 体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明，粒子let 值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(sti)深度的减少都会增加 ...
SEU study of 4T, 6T, 7T, 8T, 10T MOSFET based SRAM using TCAD simulation
2015年2月5日 · In this paper radiation performance of 4T, 6T, 7T, 8T and 10T MOSFET based-SRAMs are studied using TCAD simulations. The minimum dose (critical dose) required to flip contents of the cell are...
Three-dimensional TCAD model of the SRAM cell simulated
More than 1700 3D TCAD simulations have been performed to obtain a detailed map of the sensitivity areas in a full cell 6-T SRAM 22 nm bulk-FinF...
基于TCAD的SRAM单粒子效应研究 - 维普期刊官网
摘要 针对40nm体硅工艺利用TCAD (Technology Computer Aided Design)对关键NMOS进行3D建模,采用混合仿真模型对SRAM单粒子效应进行模拟仿真。 通过改变重离子LET (Linear Ene... 展开更多 针对40nm体硅工艺利用TCAD (Technology Computer Aided Design)对关键NMOS进行3D建模,采用混合仿真模型对SRAM单粒子效应进行模拟仿真。 通过改变重离子LET (Linear Energy Transfer)值、入射位置和入射角度,分析了其对单粒子效应的影响。 实验结果表明40nm工艺下 …
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