SiC 能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD: 快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的 功率因数校正电路 （PFC电路）和整流桥电路中。 2. SiC-SBD的正 …

2017年4月27日 · 從SiC蕭特基二極體（以下簡稱SBD）的構造開始説明。如下圖所示，讓金屬與半導體SiC接合（蕭特基接面）以便獲得蕭特基障壁（Schottky Barrier）。構造方面，與Si的蕭特基二極體基本上相同，重點特徴也同樣為高速性。 那麼，SiC-SBD的特徴是什麼呢？

2016年12月15日 · SiC-SBD可同时实现高速性和高耐压，与PND/FRD相比Err（恢复损耗）显著降低，开关频率也可提高，因此可使用小型变压器和电容器，有助于设备小型化。 以下是1200V耐压SiC-SBD技术规格的一部分。 后续将针对主要特性进行介绍。 继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。 首先从SiC肖特基势垒二极管开始。 SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。

肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）的工作原理基于肖特基势垒的形成和电子的热发射。 肖特基势垒形成： 当金属与半导体接触时，由于金属的导带能级高于半导体的导带能级，而金属的价带能级低于半导体的价带能级，形成了肖特基势垒。 肖特基势垒是一个势垒能量，阻止了电子从半导体向金属方向的流动。 正向偏置条件下： 以N型半导体为例，当SBD处于正向偏置时，即将金属连接到正电压端，半导体连接到负电压端，肖特基势垒被减小，电子可以从半导 …

2019年4月4日 · The use of SiC, a wide-bandgap semiconductor, provides a solution to the withstand voltage problem. In addition, a new SBD structure solves the leakage and surge current problems. The following sections describe these benefits of SiC SBDs. Figure 2-1 compares the turn-off waveforms of a silicon FRD and a SiC SBD with the same

2025年3月7日 · SiC SBD 具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。 适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍 SiC SBD 的静态特性和动态特性。 本文引用地址： SBD （肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。 Si SBD耐压一般在200V以下，而耐压在600V以上的 SiC SBD产品已广泛产品化。 SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。 半导体器 …

SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。 2. SiC-SBD的正向 …

2025年1月14日 · 碳化硅肖特基势垒二极管（sic sbd）具有独特优势。 其基于宽带隙半导体原理，带隙达 3.26eV，带来高介电击穿强度等特性。 浪涌电流是直流额定电流 7 - 9 倍，温度特性稳定，漏电流低不易热失控，耐压能力强。

2025年2月26日 · SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。 适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。 SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。 Si SBD耐压一般在200V以下，而耐压在600V以上的SiC SBD产品已广泛产品化。 SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。 半导体器件的击穿电压与半导体 …

2022年8月18日 · SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。 结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。 而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。