2024年1月22日 · sic mosfet 是一种易于驱动、驱动功率较少的常闭型、电压驱动型的开关器件。 基本的驱动方法和IGBT 以及Si MOSFET一样。 推荐的驱动门极电压，ON 侧时为+18V 左右，OFF 侧时为0V。

碳化硅（Sic）作为第三代半导体材料的代表性材料，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性，使其在电力电子器件领域得到广泛关注。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体是目前主要的功…

2024年10月27日 · 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET是一种基于碳化硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 与传统的硅基MOSFET相比，SiC MOSFET由于其使用材料的物理特性，具有许多优越的 性能 特点，使其在高功率和高温应用中非常受欢迎。 和前文的CoolMOS不同（参见我上一篇文章）SiC MOSFET 的主要优势在于其材料本身，因此在讲它的结构之前，我们需要先认识一下碳化硅. 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）是一种由硅和碳组成的化合物，具有许 …

Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFET solutions are the next essential step towards an energy-smart world. Based on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the revolutionary CoolSiC™ MOSFET technology which enables radically new product designs.

全桥式逆变器部分使用了3种晶体管（si igbt、第二代sic-mosfet、上一章介绍的第三代沟槽结构sic-mosfet），组成相同尺寸的移相dcdc转换器，就是用来比较各产品效率的演示机。

2024年3月18日 · 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等，在功率器件领域，碳化硅二 …

ROHM 早在2010 年( 全球第一) 就成功地实现了SiC MOSFET( 平面结构) 量产化。 在2015 年采用沟槽结构、实现了产品(第3代)的大幅度小型化。 ROHM 作为SiC 的龙头企业, 持续保持着技术创新。 这次、 进一步进化ROHM独有的沟槽技术, 实现了“ 第4代”SiC MOSFET 的量产(Figure 1-1)。 在本应用笔记中、 说明了第4代SiC MOSFET 的特点, 详细解说了最大限度发挥其性能的使用方法。 另外、关于旧产品的详细信息,已在“SiC 功率器件&模块应用笔记 Rev.003 ”中总结(*1)。 除 …

2025年2月26日 · sic mosfet 是重要的功率半导体器件，其结构分为平面和沟槽结构，各具特点。它具有低导通电阻、耐高温高压、开关速度快等优势，在新能源汽车、光伏、智能电网等多领域广泛应用。虽面临成本等挑战，但发展前景广阔，将推动电子技术持续进步 。

使用stpower sic mosfet创建比以往更高效、更紧凑的系统 借助SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。 意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。

在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。 碳化硅MOSFET的主要应用领域包括：充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能源汽车OBC、工业电源、电机驱动等。 与下游数量较多的充电桩制造商和运营商不同，目前充电模块行业玩家数量有限。 历经过去几年的激烈竞争，行业逐渐出清。 目前主流企 …