This work describes a 16Gb ReRAM designed in a 27nm node, with a 1GB/s DDR interface and an 8-bank concurrent DRAM-like core architecture. High parallelism, a pipelined data-path architecture and innovations such as concurrent set/reset verify combine to achieve 200MB/s write and 1GB/s read throughputs in a high-density device.

Resistive random-access memory (ReRAM or RRAM) is a type of non-volatile (NV) random-access (RAM) computer memory that works by changing the resistance across a dielectric solid-state material, often referred to as a memristor. One major advantage of ReRAM over other NVRAM technologies is the ability to scale below 10 nm.

2013年3月28日 · Abstract: ReRAM has been considered as one of the potential technologies for the next-generation nonvolatile memory, given its fast access speed, high reliability, and multi-level capability. Multiple-layered architectures have been used for several megabit test-chips and memory macros [1-3].

Abstract: A 32-Gb ReRAM test chip has been developed in a 24-nm process, with a diode as the selection device and metal oxide as the switching element. The memory array is constructed with cross-point architecture to allow multiple memory layers stacked above the supporting circuitry and minimize the circuit area overhead.

电阻式随机存取存储器（ReRAM）是一种正处于开发阶段的下一代内存技术。 在经历了多年的挫折之后，这项技术终于开始受到欢迎了。 富士通 和松下正在联合加大投入开发第二代 ReRAM 器件。 此外，Crossbar 正在实验性地 生产 一种 40nm ReRAM 技术，目前正由中国的 中芯国际 （SMIC）的晶圆厂代工 生产。 台积电 （TSMC）和 联电 （UMC）也不甘示弱，最近也已经将 ReRAM 加入了自己的发展路线图中，并且将在明年左右为自己的客户开发这项技术。 多年以 …

2025年2月17日 · 可变电阻式存储器 （英语： Resistive random-access memory，缩写为 RRAM 或 ReRAM），是一种新型的 非易失性存储器，和另一种新型的 磁阻式随机存储器 一起属于新世代的存储器。 类似的技术还有 CBRAM 与 相变化存储器，目前许多公司都正在发展这种技术。 对于即将迎来的物联网时代需要即时资料存储需求、低能耗、资料耐久度高、每次写入或存储的资料单位小等层面，综观上面的需要， NAND闪存 并不是一个合适的选项，不过由于ReRAM的操 …

2024年6月29日 · 电阻式随机存取存储器（ReRAM或RRAM）作为下一代内存技术脱颖而出，有望彻底改变数据存储方式。 ReRAM单元利用材料的电阻开关特性，提供了一个简单的结构，可以缩小到非常小的尺寸，为更高密度的内存模块铺平了道路。 关键特征包括存在促进电阻切换的氧气空位，允许ReRAM在不同电阻状态之间交替表示二进制数据。 与依赖电荷存储的闪存不同，ReRAM通过电压诱导的电阻变化来运行，这可以带来更好的能效和更快的运行。 富士通半 …

reram：电阻式随机存取非易失性存储器。 ReRAM关闭电源后存储器仍能记住数据。 ReRAM可以由许多化合物制成，ReRAM的主要优势在于其可扩展性、CMOS兼容性、低功耗和电导调制效应，这些优点让ReRAM可以轻松扩展到先进工艺节点，能够进行大批量生产和供应。

据EE Times ASIA 3月24日报道， ReRAM （可变电阻式存储器）的特性使其在人工智能、 存内计算 和旨在模仿人脑的应用程序中具有显著优势，成为下一代内存的主要竞争者。 ReRAM是电阻式随机存取存储器，它可以将DRAM（动态随机存取存储器）的读写速度与SSD（固态硬盘）的非易失性结合于一身，功耗更低、读写速度更快。 ReRAM多用于 神经拟态计算 （类脑计算），算力高、功耗低；但它还未完全成熟，也面临着相变存储器（PCM）和铁电随机存取存储 …

2024年6月28日 · 电阻式随机存取存储器（ReRAM或RRAM）作为下一代内存技术脱颖而出，有望彻底改变数据存储方式。 ReRAM单元利用材料的电阻开关特性，提供了一个简单的结构，可以缩小到非常小的尺寸，为更高密度的内存模块铺平了道路。 关键特征包括存在促进电阻切换的氧气空位，允许ReRAM在不同电阻状态之间交替表示二进制数据。 与依赖电荷存储的闪存不同，ReRAM通过电压诱导的电阻变化来运行，这可以带来更好的能效和更快的运行。 富士通半 …