相移掩模（Phase Shift Mask, PSM）是同时利用 光线 的强度和相位来成像，得到更高分辨率的一种 分辨率 增强技术 [1]。 相移掩模是一项通过改变光束相位来提高 光刻分辨率，其基本原理是通过改变 掩模 结构，使得透过相邻透光区域的光波产生180度的相位差，二者在像面上特定区域内会发生相消 干涉，减小光场中暗场的光强，增大亮区的光场，以提高 对比度，改善 分辨率 [2]。

2021年10月7日 · Phase Shift Mask (PSM) 相移掩模: 改变光束相位来提高 光刻分辨率。 其基本原理是通过改变掩膜结构，使得透过相邻透光区域的光波产生180度的相位差，二者在像面上特定区域内…

2025年1月9日 · OPC通过修改不透光或透光图形的几何形状来优化掩模图形，该技术不改变图形透射光的强度或相位。相移掩模（Phase Shift Mask, PSM）通过调整掩模图形透射光的相位与透过率改善成像质量。利用(强度)透过率T与相位Φ…

Phase-shift masks are photomasks that take advantage of the interference generated by phase differences to improve image resolution in photolithography. There exist alternating[1] and attenuated phase shift masks. [2] .

相移光罩 （Phase-Shift Mask, PSM） 特点：在光罩上加入相位控制材料，使光的相位发生偏移，以增强图案的分辨率。 原理：不仅通过光的强度对图案成像，还通过光的相位干涉提高精度。

相移掩模（Phase Shift Mask, PSM）是同时利用光线的强度和相位来成像，得到更高分辨率的一种分辨率增强技术 [1]。 相移掩模种类很多，其改善光刻分辨力的机理和能力也有差异，但其基本原理主要是在掩模图形的相邻透光区引入180°（或其奇数倍）的位相差或再辅之以透过率变化（衰减PSM），以改变相邻图形衍射光束之间的干涉状态；通过相邻透光区光场的相消干涉，减小光场分布中暗区的光强、增大亮区的光场,以提高对比度、改善分辨力；或者用相邻图形的位相梯 …

Phase-shift masks (PSMs) work by adding phase information to the mask in addition to amplitude information. A binary chrome-on-glass mask encodes the information about where to position resist edges using chrome (with zero amplitude transmittance) and …

2019年6月14日 · 所以我们引入了光学相位转移光罩(PSM: Phase-Shift Mask)，在每个相邻的透光区加入一个相位转换材料(Light shifter)，一般选择MoSiON等半透明材料(透光率10%)，通过控制厚度让光从原来的相位转换180度，消除界面过渡区的光的干涉影响，从而增加了界面图形的解析度。

2025年3月27日 · 光罩（Mask），也称为掩膜版，是集成电路（IC）制造过程中核心且关键的元件之一。 作为光刻技术的核心工具，光罩将设计好的电路图案转移到晶圆表面，其质量直接决定了芯片制造的精度和性能。

相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料，通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀，并对相移、缺陷等进行分析和检测，确保能达到设计要求。 为了避免制程条件变化和材料不稳定对条宽控制带来的不利影响，需要改变一次性把条宽调到位的传统做法，传统做法如图4所示。 而需预留一定的加蚀刻空间，即正常流程过程中，如不进行加蚀刻动作的话，实际做出的条宽值会比设计值小一些（Space CD），如图5所示。 这样 …