The invention relates to a process for Low Temperature Oxide (LTO) deposition of a backside seal for wafers using Low Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (LPPECVD) and in...

2005年10月19日 · 本发明提供一种用于晶圆的两层LTO背面密封. The present invention provides a two-layer LTO backside seal. 这两层LTO背面密封包括具有第一主面和第二主面的低应力LTO层,该低应力LTO层的第一主面与该晶圆的一个主面相邻.

The present invention relates to a method for low temperature oxide (LTO) deposition of a back seal for wafers using low pressure plasma chemical vapor deposition (LPPECVD), and in particular...

2023年6月12日 · 本发明涉及一种硅片背封的方法,所述方法包括如下步骤: (1)在硅片背面沉积一层LTO膜; (2)在步骤 (1)的LTO膜面上沉积一层POLY膜; (3)在步骤 (2)中的POLY膜面上沉积一层LTO膜,得到背封的硅片;本发明采用LTO+POLY+LTO工艺,即使经过高温外延过程,POLY层下P元素只能扩散贯穿POLY ...

本发明提供一种用于晶圆的两层LTO背面密封.这两层LTO背面密封包括具有第一主面和第二主面的低应力LTO层,该低应力LTO层的第一主面与该晶圆的一个主面相邻.所述两层LTO背面密封进一步包括具有第一主面和第二主面的高应力LTO层,该高应力LTO层的第一主面与该低 ...

2003年9月18日 · Using the method of the invention a wafer is formed with a double layer LTO backside seal in which the inner layer has low stress and the outer layer has high stress. The stress of the inner layer is typically <100 Mpa and the …

1.硅片用于硅片的无去边 LTO 背封层结构，其特征在于，包括 ： 二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。 2.根据权利要求 1 所述的硅片用于硅片的无去边 LTO 背封层结构，其特征在于，所述二 氧化硅背封层的厚度为 0.2 微米～ 1.2 微米。 3.根据权利要求 1 ～ 2 所述的硅片用于硅片的无去边 LTO 背封层结构的制造方法，其 特征在于，包括如下步骤 ： 第一步，在硅片上采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层，覆盖硅片的背面、背 …

A two layer LTO backside seal for a wafer. The two layer LTO backside seal includes a low stress LTO layer having a first major side and a second major side, the first major side of the...

Two-layer LTO back surface of the present invention is in fact a low stress LTO layer having a first major surface and a second major surface adjacent to one side of the main surface of the wafer.

2021年12月15日 · 因此，目前采用化学气相沉积 (cvd)的方式在衬底的第一表面和侧壁上沉积lto薄膜 (low temperature oxide film)，然后采用刻蚀工艺去除侧壁的lto薄膜，并翻转衬底，将没有沉积lto薄膜的衬底的第二表面朝上放置，也就是说，将没有沉积lto薄膜的衬底第二表面远离承载台 ...