这篇文章介绍一下dimm的组成，以及dram的内部。 DIMM是什么意思？ DIMM就是内存条，英文全名Dual In-Line Memory Module，表示信号接触在金手指两侧，并且在DIMM条的边沿作为信号接触面。

The dram (alternative British spelling drachm; apothecary symbol ʒ or ℨ; [a] abbreviated dr) [4][5]: C-6–C-7 [6] is a unit of mass in the avoirdupois system, and both a unit of mass and a unit of volume in the apothecaries' system. [5] . It was originally both …

2024年11月13日 · DRAM（Dynamic random access memory）的结构： DRAM 中的存储单元通常由一个电容和一个晶体管组成。电容用来存储数据（1或0），而晶体管作为访问开关。 由于电容会泄漏电荷，DRAM 需要周期性刷新数据来保持信息的完整性。 SRAM 的结构：

2023年11月5日 · DRAM，全称为 Dynamic Random Access Memory ，中文名是“ 动态随机存取存储器 ”。 所谓“动态”是和“静态”相对应的，芯片世界里还有一种 SRAM 静态随机存取存储器的存在。 笼统地说，DRAM 的结构比 SRAM 更简单，面积占用更小，适合制作大容量的 存储芯片；而 SRAM 结构复杂一些，一般使用六个晶体管，面积消耗大，但是读写速度快，而且因为 SRAM 只用到晶体管，所以在工艺上和逻辑芯片相兼容，我们可以在逻辑芯片上直接集成 SRAM 。 因 …

DRAM (Dynamic Random Access Memory, 动态随机访问内存)，是现在主流的内存形式。 基本单元主要由一个晶体管和一个电容组成，电容中有电荷代表“1”，没有电荷代表“0”。 由于电容中的电荷会随着时间而慢慢泄露，所以需要周期性地进行“充电”，这也是“Dynamic”的由来。 Random Access的意思则是，读取/改写其中任何一个bit所需要的时间是一样的。 由于DRAM低廉的价格以及不慢的访问速度，以及构造上的简单非常有利于大规模的集成，所以现在被广泛地应用。 2. …

DRAM从第二代开始采用DDR技术，即 Double Data Rate，数据传输时会在时钟的上升沿和下降沿都进行采样，如图1下方所示。 这样在一个时钟周期内可以传输2位数据，因此可以获得双倍的数据传输速率。 按照DRAM的应用场景，可以将DRAM分为DDR、LPDDR和GDDR。 其中DDR主要应用于桌面和服务器领域；LPDDR由于具有低功耗的优势，常用于便携设备和移动终端；GDDR具有大位宽和大带宽的优势，常用于显卡和大算力AI芯片中。 目前主流的DRAM技术采用的是如 …

2024年12月9日 · DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器。 2. DRAM结构及特点. 1. 动态存储，DRAM 需要不断地刷新才能保持数据，因为它是利用电容存储电荷的原理来保存数据，而电容会随着时间逐渐放电，所以需要定期刷新以补充电荷，维持数据的稳 …

2024年4月16日 · DRAM就像一个包含多个工作表的Excel表格，每个工作表代表一个bank，由行和列组成数据结构。 bank间的Sense Amp负责数据读写，precharge操作就像银行存款和取款。

2024年12月17日 · 动态随机存取器（Dynamic Random Ac cess Memory，简称DRAM）是计算机系统中用于短期数据存储的一种 半导体 存储器。 它由IBM的研究员罗伯特·H·登纳德（Robert H. Dennard）于1967年发明，并在随后的几十年间成为了计算机和电子设备中最常用的内存类型之一。 由于其高密度、低成本的特点，DRAM被广泛应用于个人 电脑 、服务器、移动设备等各种计算平台。 DRAM的基本构造与工作原理. 一个典型的DRAM单元包含两个主要组件：一个作为访 …

2024年7月30日 · DDR2 SDRAM是由电子设备工程联合委员会开的第三代SDRAM内存技术标准，相比上一代提供了更高运行效能（拥有两倍与上一代的预读取能力，4bit数据prefetch）和更低的电压（1.8v）。 DDR3 SDRAM相比上一代，电压更低（1.5v），效能更高（支持8bit prefetch），只需133MHz就能实现1066MHz的总线频率。 DDR4相比上一代，工作电压更低（1.2v），效能更高（16bit prefetch），同样的频率下，理论速度是上一代的两倍。