1T-SRAM - Wikipedia
1T-SRAM is a pseudo-static random-access memory (PSRAM) technology introduced by MoSys, Inc. in September 1998, which offers a high-density alternative to traditional static random …
只使用1个晶体管！揭秘SRAM最新突破 - 电子工程专辑 EE ...
2019年1月24日 · 几年前，我们尝试用传统的晶体管来创造一种新的SRAM技术——清楚来讲，传统SRAM使用六个晶体管结构 (6T-SRAM)，而新SRAM只用单个晶体管结构 (1T-SRAM)，外 …
1T-SRAM - 百度百科
MoSys的1T-SRAM技术使用单晶体管单元即可完成以前6晶体管单元才能完成的高频数据访问及交换工作。 因此1T-SRAM在Nintendo GameCube中的使用使得开发者们可以不再考虑以前6路 …
A 1T SRAM? Sounds Too Good to be True! - The Memory Guy
2016年2月19日 · At the IEEE’s International Electron Device Meeting (IEDM) in December a start-up named Zeno Semiconductors introduced a 1-transistor (1T) SRAM. Given that today’s …
MoSys公司的1T-SRAM-R技术成功通过中芯国际0.13微米制程验证
与传统的4 或6 晶体管静态存储器相比，1t-sram 存储器里使用单一晶体管位单元使该技术在同样的标准逻辑生产过程中具备更高的密度。 1T-SRAM 技术也提供与传统静态存储器相关的,适于 …
eDRAM, 1T SRAM - cuizehan的日志 - EETOP 创芯网论坛 (原名： …
2010年10月11日 · Due to its one-transistor bit cell, 1T-SRAM is smaller than conventional (six-transistor, or “6T”) SRAM, and closer in size and density to embedded DRAM . At the same …
【DRAM存储器六】DRAM存储器的架构演进-part3 - CSDN博客
2023年9月21日 · 本文探讨了DRAM存储器为降低延时而进行的架构改进，包括VCDRAM、ESDRAM、MoSys 1T-SRAM、RLDRAM和FCDRAM。 这些设计通过引入SRAM缓存、增加 …
MoSys 1T-SRAM - University of Wisconsin–Madison
Standard CMOS process: uses horizontal plate cap, defined by poly gate mask. Requires additional non-critical mask step, an additional etch step (to create trench in STI) and an …
有人熟悉1T SRAM吗？ - 数字IC设计讨论(IC前端|FPGA|ASIC)
2008年9月28日 · 1T-SRAM是由MoSys，Inc.推出的一種偽靜態隨機存取存儲器技術，該技術在嵌入式存儲器應用中為傳統的靜態隨機存取存儲器提供了高密度替代方案。 Mosys使用單晶體管 …
The ideal SoC memory: 1T-SRAM/sup TM/ - IEEE Xplore
The simplicity of 1T-SRAM cell facilitates its easy porting to most processes. This helps alleviate the problem of process incompatibility. The simplicity of the cell structure also makes it …