2021年10月20日 · 1α-nm可能对应的是更小的12~14nm，1β-nm可能对应的是10~12nm，1γ-nm可能对应的是10nm。 当然，相比计算相关器件， DRAM 在制程演进上更加困难。 美光持续推进更高工艺，不仅能够提供更低的功耗，还能够为产品提供更好的密度。 美光联合21ic，特别推出了有趣的小游戏，让你边拿奖品边学干货！ 暑夏已过，爽秋来临， 这个秋天，美光要带大家玩点不一样的。 谁说内存与存储的世界只有无趣的代码的和古板的数据， 我们要拒绝平凡、拒绝老套 …

去年，美光正式量产1β DRAM，相较上一代的1α（1-alpha）制程，美光最新的1-beta制程功耗降低约15%，位元密度提升超过35%，每颗晶粒容量可达16Gb。 1β是目前全球最先进的DRAM制程节点，随着1β量产出货，美光已经开始布局下一代技术研发。

三星上代 1b nm 内存于 2022 年 10 月完成开发、2023 年 5 月量产，若按新计划，1c DRAM 开发结束时间定于 2025 年中，量产则可能延后到 2025 年底，两代 DRAM 工艺间的间隔会来到约 2.5 年，这明显长于 1.5 年的业界一般开发周期。

2022年11月1日 · Micron on Tuesday announced its next generation 1β (1-beta) fabrication technology for DRAM (dynamic random access memory). The new node will enable Micron to cut down costs of its DRAM while...

2024年6月17日 · 通过本次投资，按照晶圆投入量看， SK海力士的1b DRAM月产能将从今年一季度的1万片增加到年末的9万片，增幅达800%，且这一目标较去年年末给出的7万片目标高出近三成。 这还不是扩产的终点。 SK海力士还计划到明年上半年，将1b DRAM月产量增加到14万-15万片，是今年一季度产能的14-15倍，最高较今年年末产能目标增超65%。 此次增设1b DRAM将在SK海力士的京畿道利川M16工厂进行，1y DRAM产线将转为生产1b DRAM。 目前，1y …

2022年11月2日 · 全球领先的1β dram制程技术带来了前所未有的内存密度，为智能边缘和云端应用迎接新一代数据密集型、智能化和低功耗技术奠定了基础。 此前，美光已在今年7月出货 全球首款 232 层 NAND ，为存储解决方案带来了前所未有的性能和面密度。

2025年1月22日 · 尽管三星是全球 dram 领域的领导者，但目前正面临来自 sk 海力士和美光的挑战。这两家公司都已成功商业化 1b dram，sk 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c dram 的开发。

IT之家 6 月 17 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能，以满足 HBM3E 内存需求。 HBM 内存对 DRAM 裸片的消耗远高于标准内存 ，因此 SK 海力士进一步扩张 1b nm 制程 DRAM 产能在一定程度上有助于缓解 HBM 内存目前的紧缺。

5月31日消息，韩国存储芯片大厂SK 海力士宣布，已经完成了 1b 制程技术 （第五代 10nm 等级） 研发，并将基于其技术生产的 DDR5服务器DRAM 进行“英特尔数据中心存储认证程序 ”（The Intel Data Center Certified memory program），这是英特尔第四代 Sapphire Rapids 的第四代 Xeon ...

2023年10月10日 · 美光于去年 10 月开始量产 1β dram，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ dram，这将标志着美光首次涉足极紫外 (euv) 光刻技术。 而三星计划 2023 年迈入 1b dram 工艺阶段，芯片容量从 24gb（3gb）到 32gb（4gb），原生速度从 6.4 提高到 7.2gbps。 nand