
Epitaxial growth of high-quality yttria-stabilized zirconia films with ...
2023年3月15日 · High-quality (100)-oriented yttria-stabilized zirconia (YSZ) films with uniform thickness were epitaxially grown on silicon substrates by a two-step process of pulsed laser deposition (PLD) and radio-frequency magnetron sputtering (RFS).
钇稳定氧化锆 - 维基百科,自由的百科全书
2024年10月20日 · 钇稳定氧化锆 (英文:Yttria-stabilized zirconia, YSZ) 是一种陶瓷材料,借由添加氧化钇改变二氧化锆的相变态温度范围,产生室温下稳定的立方晶体及四方晶体。
氧化钇稳定氧化锆 (YSZ) 在硅上的异质外延生长 - X-MOL
1988年8月20日 · 氧化钇稳定的氧化锆 (YSZ) 薄膜已通过真空蒸发在 800°C 加热的 Si (100) 基板上生长。 X 射线衍射和反射高能电子衍射观察揭示了立方 YSZ (200) 薄膜在 Si (100) 衬底上的异质外延生长。 薄膜的反射高能电子衍射表明,立方YSZ平面内的 和 方向分别与Si衬底的 和 方向几乎重合。 因此, (200) 取向的立方 YSZ 可以与 (100) 取向的 Si 衬底精确 (<1%) 晶格匹配。 氧化钇稳定的氧化锆 (YSZ) 薄膜已通过真空蒸发在 800°C 加热的 Si (100) 基板上生长。 X 射线衍射和 …
YSZ和掺Cr YSZ单晶在200–1000°C时的电导率和离子迁移数,Solid …
2017年1月31日 · 研究了YSZ和Cr掺杂的YSZ的单晶,其标称值为12摩尔%Y 2 O 3和0.1质量%Cr 2 O 3在200–1000°C下的交流电导率和离子迁移数。 两种材料都是离子导体,并且在所研究的温度范围内具有与温度相关的活化能。 研究了YSZ和Cr掺杂的YSZ的单晶,其标称值为12摩尔%Y 2 O 3和0.1质量%Cr 2 O 3在200–1000°C下的交流电导率和离子迁移数。 两种材料都是离子导体,并且在所研究的温度范围内具有与温度相关的活化能。
YSZ(Y:ZrO2)晶体基片-中美合资合肥科晶材料技术有限公司
2025年2月11日 · 氧化锆(ZrO2)由于ZrO2单晶需掺入钇(Y)以稳定其结构, 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。 它机械、化学稳定性好,价格较低因而得以广泛应用。 a = 5.125 ? 注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 中美合资合肥科晶材料技术有限公司所提供的YSZ(Y:ZrO2)晶体基片质量可靠、规格齐全,中美合资合肥科晶材料技术有限公司不仅具有专业的技术水平,更有良好的售后服务和优质的解决方案,欢迎您来电咨询此产品具体参数及价格 …
YSZ-200 胀形液压机使用说明书重点.doc 12页 - 原创力文档
2017年1月26日 · YSZ-200 胀形液压机使用说明书重点.doc,特别说明: 新机启动时,应点动检查电机转向的正确性。 新机或停机较长时间后,重新起动时,应低压点动运行4~5分钟次后,再逐步调高溢流阀的压力,以便达到系统压力进行正常作业。
On the synthesis of yttria-stabilized zirconia: a ... - Springer
2015年7月1日 · Yttria-stabilized zirconia (YSZ) has been studied as a promising material for application as an electrolyte in solid oxide fuel cells. In this work, YSZ powders ((xY2O3 − (1 − x)ZrO2), x = 5, 8 and 10 mol%) were synthesized by three different methods: co-precipitation, sol–gel combustion and sol–gel.
YSZ基薄膜极限电流型氧传感器的低温制备,Journal ... - X-MOL
采用室温射频磁控溅射结合650℃退火制备了具有(200)择优取向的ysz薄膜。 700 nm厚的YSZ薄膜表现出明显的极限电流平台,极限电流IL与氧浓度X(O2)呈线性相关(在6%~21%范围内)。
Epitaxial growth of high-quality yttria-stabilized zirconia films with ...
2023年3月15日 · The results evidenced that the YSZ film can be epitaxially grown at 200 °C in the presence of a YSZ-seed layer. However, the splitting of the YSZ (200) X-ray diffraction peak appeared at 500 °C and 200 °C, which may be attributed to a transformation of the intrinsic stress in the YSZ films from compressive to tensile stress with decreasing ...
Thermal stability and thermal cycling behavior of LGYYSZ/YSZ …
In this study, 1.0La-2.0Gd-2.0Yb-4.5Y-ZrO 2 /YSZ (LGYYSZ/YSZ) coatings with 100 μm/200 μm/300 μm intermediate YSZ layers are prepared by APS. The total thickness of these coatings amounted to 500 ± 20 μm. The investigation into the high-temperature thermal cycling behavior of the LGYYSZ/YSZ TBC involved gas thermal cycling tests conducted ...