必读！对齐标记在光刻中的关键性作用 - 知乎
光刻是一种在光敏感材料上进行图案转移的方法，通过光源照射、光遮罩（掩膜）的作用，将图案投影到光敏感材料上，并通过化学或物理处理，将图案…
ASML光刻机的对准原理是什么？ - 知乎
激光器发出波长为644.8nm的线性偏振光（红色可见光），经照明模块中的90°棱镜、对准快门、衰减轮、能量监视二极管、50%分光镜后，激光束分成了M1和M2两束平行光，然后经过一组透 …
对准标记_百度百科
先进光刻机要求有极高的对准精度，而对准精度 (alignment precision， AP)与所需要测量的对准标记数目 (N)成反比，即测量的标识越多，所能达到的对准精度越高。 [1] 设定哪些对准标记用 …
ASML uses PM (Primary marks) or XPA (eXtended Pattern Area) marks for global alignment of individual marks. The standard PM or XPA marks are made up of four phase gratings.
光刻对准关键技术的发展与挑战 | 光学学报 -- 中国光学期刊网
2023年9月28日 · 本文基于影响套刻精度的核心技术，即对准技术，对该技术中精密测量传感系统的设计和微纳测量对象对准标记的设计两个方面进行了归纳分析，就业内国际顶尖科技公司的 …
微电子行业光刻辅助对准标记规范 - 豆丁网
2011年8月19日 · 对于接触式和接近式曝光系统，如KarlSuss的MA系列的光刻机器，要求的光刻版为标准的5英寸x5英寸玻璃铬版或者石英铬版，厚度为0.9英寸，一般来说，石英铬版由于具有 …
光刻对准标记以及包含其的掩模板和半导体晶片_百度文库
划线槽对准方式是目前光刻技术中广为采用的一种对准方式。 其中，诸如条形的SPM (划线槽主标记，scribe lane primary mark)的对准标记形成在每一层或者多个层的划线槽中。 后一层图案 …
芯片中的mark - 对准标记 Alignment Mark - 赛派号
先进光刻机要求有极高的对准精度，而对准精度 (alignment precision， AP)与所需要测量的对准标记数目 (N)成反比，即测量的标识越多，所能达到的对准精度越高 [1]。 图1 光刻机曝光的工作 …
Photolithography alignment mark, mask and semiconductor …
As compared to the prior art XPA-00 photolithography alignment mark, the XPA-MN photolithography alignment marks disclosed herein and shown in FIGS. 2A to 2G have thinner …
Comparison of ATHENA and TTL alignment capability in product wafers
2002年7月1日 · Standard XPA and higher diffraction order enhanced XPA mark types were evaluated using the zero layer approach, as well as non-zero layer enhanced scribeline SPM …