TSV－CIS 封装技术综述 - 知乎 - 知乎专栏
2023年9月12日 · TSV－CIS 封装技术是目前先进的封装技术，它可以有效降低中低端 CIS 封装成本，使得芯片面积达到最小，实现晶圆级封装。 本文简单介绍了 TSV－CIS 封装技术工艺的 …
A Short Review of Through-Silicon via (TSV) Interconnects ... - MDPI
2023年7月18日 · To overcome this challenge, destructive methods, such as scanning electron microscopy (SEM) and tunneling electron microscopy (TEM), are commonly used to measure …
半导体芯片3D堆叠技术与TSV工艺 - 知乎 - 知乎专栏
硅通孔技术（TSV，Through -Silicon-Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，如图3 …
矢量科学丨芯片先进封装硅通孔(TSV)技术 - 知乎
TSV硅刻蚀工艺通常有电化学腐蚀技术、激光刻蚀和基于等离子体的反应离子深刻蚀等几种方法。 随着TSV孔径的减小、深宽比的增大，业界开发了基于深反应离子刻蚀（Deep Reactive Ion …
Through-SiliconVia(TSV) This technology allows stacked silicon chips to interconnect through direct contact to provide high-speed signal processing and improved photo
An overview of through-silicon-via technology and …
2015年3月5日 · In this paper, we address important aspects of manufacturing of TSVs and 3D integration using TSVs, including applications, TSV processing, assembly and packaging, …
Measurement-based electrical characterization of through silicon …
2016年1月5日 · Measurement-based electrical characterization of through silicon via (TSV) and redistribution layer (RDL) is of great importance for both fabrication process and system …
Chiplet设计与TSV技术 - 逍遥科技
TSV 是一种穿过硅片的垂直电连接，允许芯片或interposer的上下两面进行通信。 TSV 由 William Shockley 于 1958 年首次发明并获得专利（图 2a）。 芯片上有数百万个连接晶体管的微小通孔 …
3D堆叠技术与TSV工艺 - 电子工程专辑 EE Times China
2022年1月26日 · 硅通孔技术（TSV，Through -Silicon-Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的IC封装键合和使用凸点的叠 …
3D IC TSV製程技術簡介 - 材料世界網
近年來，半導體3D IC製程以及3D封裝廣泛的被很多國際研究機構以及廠商重視(1)，而在3D IC的技術中，矽導通孔(Through Silicon Via; TSV)、晶圓接合技術(Wafer Bonding)、晶圓薄 …