
SMIC.18 V3E BCD和 SMIC.18M BCD具体区别 - Analog/RF IC 设计 …
2024年12月18日 · 有大佬知道smic.18 v3e bcd和 smic.18m bcd的具体区别是什么吗,什么文件里可以看到呢
SMIC 180nm BCD新工艺 BCDF - SOC资料区 - EETOP 创芯网论坛
2024年11月14日 · 您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号? 注册. SMIC 8BU BCD新工艺平台BCDF (LDMOS RDSON 比上一代V3E 降低20%~30%,1.8V/5V core device与V3E一致,兼容V3E已验证过IP) 感兴趣的朋友们可以跟我沟通哦 Wechat(hleo ... SMIC 180nm BCD新工艺 BCDF ,EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)
0.18bcd E和0.18bcd M工艺有啥区别 - Analog/RF IC 设计讨论
2023年11月19日 · 你指的是smic家的?他家bcd有va,vm和v3,v3又分出来v3e和v3elc。vm是最古老的版本,性能最差。v3e相对好点,但是没有全隔离器件。v3e lc是低成本的v3e。va是最新的bcd工艺,器件性能相对好一些。增加了40v全隔离好像。
什么是BCD工艺?国内各晶圆制造公司BCD工艺情况-电子工程专辑
2021年5月18日,IEEE给BCD工艺开创者意法半导体(STM)颁发IEEE里程碑奖(IEEE Milestone),旨在表彰意法半导体在超级集成硅栅半导体工艺技术方面的开创性研究成果。 该牌匾将放置在意法半导体在意大利米兰市近郊曾经承担BCD开发工作的Agrate工厂Castelletto工厂的大门口。 牌匾上写着: SGS(现为意法半导体)率先采用单片集成Bipolar-CMOS-DMOS器件(BCD)的超级集成硅栅极工艺,解决复杂的、大功率需求的应用设计难题。 首个BCD超级 …
掌握Cadence Virtuoso SMIC 180nm工艺库:标准、OA及BCD库使 …
2024年12月28日 · 标签"smic cadence"表明这个工艺库是为使用Cadence软件的用户准备的。Cadence是全球知名的电子设计自动化软件供应商,其产品广泛用于集成电路设计流程,包括逻辑综合、布局布线、电路仿真等。这个工艺库可能已经过...
Cadence Virtuoso SMIC 180工艺库资源文件 - CSDN博客
2024年9月7日 · 本仓库提供了一套完整的Cadence Virtuoso SMIC 180工艺库资源文件,包括标准库、OA库、BCD库以及PDK文件。 这些资源文件可以直接导入并使用于IC617和IC618版本的Cadence Virtuoso环境中,非常适合用于学习和开发集成电路设计。 标准库:包含常用的标准单元库,适用于各种数字电路设计。 OA库:OpenAccess库文件,用于支持Virtuoso的设计环境。 BCD库:Bipolar-CMOS-DMOS库,适用于模拟和混合信号电路设计。 PDK文件:工艺设计 …
数字后端零基础学习记录01-SMIC0.18um工艺库文件解析_smic18 …
2023年3月13日 · 该库主要包含了标准单元的时序信息、功耗信息(开关功耗、泄露功耗、短路功耗),线载模型等,此外还提供tt、ss、ff 以及0、25、125度下标准单元的各模型参数,是整个数字设计的核心。 .db文件是二进制文件,可以由.lib文件转化过来。 .pdb和.plib是以前物理综合时需要使用的,现在大概率已经用不到了。 该文件夹主要存放verilog和VHDL语言建模的标准单元库,用于版图的后仿真。 以上就是对SMIC0.18um工艺库文件的初步理解,参考资源如下: …
模拟芯片常用的BCD工艺国内外差距有多大? - 知乎专栏
BCD工艺的特点是将硅平面工艺用到功率集成上,是一种可以将双极、 CMOS 和 DMOS 器件同时集成到单芯片上的技术。 在功率应用领域,与传统的双极功率工艺相比,BCD工艺具有显著的优势,最基本的优势就是使得电路设计者可以在高精度模拟的双极器件,高集成度的CMOS器件和作为功率输出级的DMOS器件之间自由选择。 由于DMOS具有高效率(低损耗)、高强度(无二次击穿)、耐高压和固有的源漏二极管的存在(作用类似续流二极管)和高速的开关特性,因 …
Smic 180 BCD工艺nde/pde管 - Analog/RF IC 设计讨论 - EETOP
2023年12月8日 · 最近在使用Smic 180BCD工艺,发现其高压管有两类,NLD类和NDE/PDE类高压管,其中nde/pde类高压管有些管子可以选择 Source and body butted design (3T) 或者 Source and body non-butted design (4T), 看描述是source和bulk是否接一起。 想问下前辈们这种高压管内部设置成bulk和source接一起,和直接在电路层面将bulk和source接一起有什么区别嘛? 是为了节省面积嘛? 管子如下图所示:
SMIC.18工艺库资源下载 - CSDN博客
2024年10月12日 · 本文将深入探讨SMIC(中芯国际)0.13微米(μm)工艺技术,以及与之相关的“l013_v2p6”工艺库文件。SMIC是中国领先的集成电路代工厂,其0.13微米工艺是一种成熟的半导体制造技术,广泛应用于各种高性能和低功耗的...