2009年2月2日 · For this work, the dry etching was done to silicon nitride layer under a CF 4 / O 2 gas mixture using reactive ion etching (RIE) process has been investigated. This etching process was carried out at a room temperature with gas pressure of 500 mTorr, RF power of 60-80 W, O 2 and CF 4 flow rate of 5-10 sccm and 40-50 sccm respectively.

反应离子刻蚀，英文全称：Reactive Ion Etching，简称：RIE，它是制作半导体集成电路的一种重要刻蚀工艺。 它是在平板电极间施加 射频电压，通过产生的等离子体对样品进行化学和物理刻蚀。 在除去不需要的集成电路板上的保护膜时，利用反应性气体的离子束切断保护膜物质的化学键，产生低分子物质，然后这些物质挥发或游离出板面。 二、反应离子刻蚀（RIE）的结构. 两个平行放置电极： 一个电极作为地线，一个电极外加射频功率。 气体从接地侧的电极以淋浴状喷 …

反应离子蚀刻 (MKS官网) Reactive Ion Etching 反应离子蚀刻 反应离子蚀刻（以下简称RIE）使用了化学和物理反应来移除衬底表面的材料,它是能产生定向蚀刻的最基本工艺 高度各向异性的蚀刻工艺能够通过RIE中伴随等离…

反应性离子刻蚀 （reaction ionetching；RIE）是制作 半导体集成电路 的蚀刻工艺之一。 在除去不需要的 集成电路板 上的保护膜时，利用反应性气体的离子束，切断保护膜物质的化学键，使之产生低分子物质，挥发或游离出板面，这样的方法称为反应性离子刻蚀。 离子刻蚀是利用高能量 惰性气体 离子轰击被刻蚀物体的表面，达到溅射 刻蚀 的作用。 因为采用这种方法，所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的侧壁形貌。 这是一种“通用”的刻蚀方式，可以在任何材料上形成图形 …

Ning Cao, Staff Engineer, Nano-Fabrication Lab, UCSB SiN x Etch Recipe using RIE#3 Sample: PR-ridge-pattern on 1.2 m-thick SiN x /Si substrate.

在本文中，首先，作者针对SiO 2在SiN x上的选择性RIE进行了重点综述，并将其与ALE进行了对比。 蚀刻机理特别受关注，包括混合层组成和碳氟化合物-SiO 2界面处的厚度的作用，碳氟化合物母气中的F-C比，H 2稀释，未蚀刻的表面成分氮化硅X，离子通量和能量，ALE中Ar的等离子体激活持续时间以及腔室记忆效应。 其次，我们讨论了在SiO 2上选择性刻蚀SiN x的相反情况，并仔细关注了新型氢氟烃气体的作用以及用其他气体（例如CH 4和NO）稀释一次进料气体的作用。 在 …

sequent reactive ion etching (RIE) on the SiNx to form the desired templates. The properties of both e-beam lithography and dry etch of NEB-22 were carefully studied, indicating significant advantages of thi.

研究了两种反应离子蚀刻 (RIE) 工艺，以使用两种方法显示 SiO2 和 Si 之间的相对蚀刻选择性 佛罗里达州碳氟化合物气体、CF4 和 CHF3。 结果表明，与 CF4 (1.2:1) 相比，CHF3 具有更好的选择性 (16:1)。 另一方面，CF4 的 SiO2 蚀刻速率约为 52.8 nm/min，比 CHF3快。 关键词 反应离子蚀刻，RIE，Si，SiO2，CHF3，CF4，选择性. 介绍. 在纳米制造中，在 Si 层上蚀刻 SiO2 层（反之亦然）是一种常见的工艺。 为确保完全去除目标材料，工艺设计中通常包括 10% 的 过蚀刻。 …

2024年11月5日 · RIE是在一定压力下,刻蚀气体在高频电场的作用下,使气体辉光放电产生等离子体,对被刻蚀物进行离子轰击和化学反应,生成挥发性气体形成刻蚀的一种刻蚀方法。 图1反应离子刻蚀设备简图. 图1是反应离子刻蚀设备简图，上电极(阳极)接地，下电极(阴极)接射频电源，射频电源的频率为13.56MHz。 要刻蚀的硅片放在下电极上:通入反应腔室中的气体在高频电场的作用下辉光放电，产生等离子体。 等离子体中包含有离子、电子及游离的自由基。 在电场的作用下,电子被 …

反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路.本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果. 百度学术集成海量学术资源，融合人工智能、深度学习、大数据分析等技术，为科研工作者提供全面快捷的学术服务。 在这里我们保持学习的态度，不忘初心，砥砺前行。