《炬丰科技-半导体工艺》Si或SiO2 的反应离子蚀刻选择性 - 知乎
研究了两种反应离子蚀刻 (RIE) 工艺，以使用两种方法显示 SiO2 和 Si 之间的相对蚀刻选择性 佛罗里达州 碳氟化合物气体、CF4 和 CHF3。结果表明，与 CF4 (1.2:1) 相比，CHF3 具有更好的 …
半导体芯片制造中“反应离子刻蚀（RIE）”工艺的详解； - 知乎
反应离子刻蚀（RIE）基于化学反应和物理轰击相结合的方式，通过引入特定的刻蚀气体和附加气体来去除目标材料。 刻蚀气体与待刻蚀材料发生化学反应，产生易于去除的副产物，而附加 …
Reactive Ion Etch (RIE) Silicon Dioxide (SiO 2) with CF 4 Document No: Revision: Oxford 80 Plus Author: Meredith Metzler Page 1 1. Introduction The purpose of this document is to examine …
二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究_杨光 - 豆丁网
2017年5月15日 · 二氧化硅（sio2）具有硬度高、耐磨性好、绝热性 [3－4] ，前，对sio2干法刻蚀工艺的研究较多但采用. 不同气体体系对sio2刻蚀进行对比研究的报道较. cf4、chf3+cf4 …
Etch Recipe using RIE#3 Recipe: 2.3mT, CHF 3 =5sccm, bias voltage=250 V (a very low surface damage) Etch Rate=6.55 nm/min (for the flood etch: no etch pattern!); 6.89 nm/min (for the PR …
二氧化硅（sio2）反应离子刻蚀原理-plasma etching
2024年11月6日 · 二氧化硅(SiO2)具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、光透过率高、抗侵蚀能力强等优点以及良好的介电性质,在电子器件和集成器件、光学薄膜器件、传感器等相关器件中得 …
Reactive ion Etching of SiO2 and Mo Sidewall Profile Process
2023年4月1日 · This paper investigates the process parameters affecting the sidewall angle of Mo and SiO 2 films based on the reactive ion etching (RIE) system, firstly, the photoresist mask …
氧化硅RIE刻蚀工艺研究 | 半导体光电 -- 中国光学期刊网
利用反应等离子刻蚀技术对SiO2进行干法刻蚀, 研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀面粗糙度、刻蚀均匀性等的影响。分析得出了刻蚀侧壁角度与刻蚀选择比以及抗蚀掩模自身 …
Simulation of Si and SiO2 etching in CF4 plasma - ScienceDirect
2008年6月19日 · The reactive ion etching (RIE) of silicon and silicon dioxide in fluorocarbon plasmas is used in integrated circuit manufacture. Ion bombardment assists in achieving the …
硅（si）的rie反应离子刻蚀原理-等离子体刻蚀plasma etching
2024年11月5日 · 反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)是一种物理和化学作用相结合的干法刻蚀方法。 因为具有较高的刻蚀速度,大的选择比和良好的方向性等优点,使其在硅刻蚀技术中得到 …