经过 H 钝化或 H 封端处理过的硅，以 Si-H 键取代了表面 Si-Si 悬空键。 这会防止形成表面氧化层。 有机硅化合物广泛用作润滑剂和脱模剂，尤其是在聚合物材料制备中。 因此，可能会在聚合物表面观察到痕量硅。 也可能存在于与其他表面接触过的其他材料上，如聚乙烯袋。 下方谱图来自典型的“原样”工业 PET 薄膜，显示了 Si 污染物（硅氧烷）。 硅存在于太阳和星体中，是第二丰富的元素，占地壳的四分之一以上。 硅对动物和植物都很重要。 但如果吸入硅尘，可引起严重 …

This effect allows XPS to measure the thickness of Si oxide films. H-passivated or H-terminated silicon has a treatment which replaces surface Si-Si dangling bonds with Si-H bonds. These prevent the formation of a surface oxide layer.

1998年12月1日 · The XPS investigation of a-Si: H thin films has demonstrated that light soaking results in a change of the chemical surroundings of silicon atoms. Hydrogen released from broken silicon–hydrogen bonds is accumulated in micropores.

2021年3月15日 · In this study, we focus on reducing the amount of carbon from UHV chamber inside surfaces via silicon and titanium coatings using a low-pressure inductively-coupled downstream plasma source and we characterize the surface alterations by in situ X-ray photoemission spectroscopy (XPS).

2013年2月1日 · The effect of the Si electrode morphology (amorphous hydrogenated silicon thin films – a-Si:H as a model electrode and Si nanowires – SiNWs electrode) on the interphase chemistry was thoroughly investigated by the surface science techniques: X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and time-of-flight secondary ion mass spectrometry (ToF-SIMS).

1992年9月1日 · The bonding of Si atoms in μc-Si:H thin films has been investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in conjunction with infra-red spectroscopy (IR), secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and analytical electron microscopy (TEM/EDX/EELS) data.

采 用XP 拄 术 和相 应 的化 学位 移理 论及 谱峰 拟 合方 法研 究 了 a S： 薄膜 。 本 文报 道 了含 氧 a S — iH S： iH中可能 出现 和存 在的 不 同化 学 构态 ．澡 度分 布 和不 同衬 底材 料导 致 的不 同界 面特 性 和表 面 特. 1 aS ： 薄膜 与衬底界面 ． —i H 为 了避 免 表 面 沾 污 可 能 对 样 品 表 面 xP 分 析 的 干扰 ， 非 晶 硅 薄 膜表 面 的 初始 分 析 均 经 氩 s 离子刻蚀后进行 。

摘要 研究了均相化学气相沉积法制备的非晶氢化硅薄膜。 使用重复的 100 mW/cm2 白光照明和 X 射线光电子能谱 (XPS) 测量在不同的光浸泡时间后记录了 Si2p、O1s 和 C1s 电子光谱。 光浸泡后观察到 Si2p 峰的位置和强度的变化，这可以通过 Si-H 键的转变来解释。 证明了 a-Si:H 膜中的微孔密度与 Si2p 电子结合能之间的相关性。 从最本的实验条件着手，发现新的现象。 该论文可能会对往后光催化制H2的温度条件重新考量，也对光热催化提供理论支持。 好想法！ 不错！

Thin films of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by a homogeneous chemical vapour deposition (HOMOCVD) are studied by XPS. The binding energies of Si2p electrons are detem1ined as a function of the annealing temperature.

Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组分为Si和O,无OH和H网络存在。 X射线光电子谱 (XPS)测试结果进一步表明,界面主要为单质Si和SiOx混合网络,且随着退火温度的升高,界面层Si-Si直接成键的密度也越高。