套刻误差（overlay error）是描述当前层与参考层套刻精准性的重要参数，光刻中每个点的套刻误差由| m |+3 δ 表示，其中 m 为测量结果的平均值，3 δ 为标准偏差。 以 14 nm 节点光刻机为例，根据集成电路的需求，套刻误差要求小于线宽的30%,即4.2nm 。 4.2nm的指标并不是对专用套刻量测设备的性能要求，它包括光刻步骤本身带来的误差、光刻overlay图案带来的量测误差以及overlay量测设备的稳定性和准确性误差等。 通常给到overlay量测设备的量测误差约为套刻误 …

层与层之间的套刻OVL（Overlay）. 半导体之难，难在成百上千的步骤前后配合，一步步根据设计目标，做出器件。 Process间配合，前后对准是起码的要求。 所以，需要monitor. 其他：比如Wafer基体厚度，弯曲翘曲（Bow/Warp），1D/2D stress，晶圆形貌Profiler，四点探针测电阻RS，XPS测dose含量等，AFM（原子力显微镜）/Metal plus（超声波）测台阶高度（Step Height）等。 半导体检测，Defect inspection： 无图形Unpattern缺陷检测，partical …

2015年3月19日 · In order to systematically quantify the bias components between target and device, we introduce a new hybrid target integrating an optical OVL target with a device mimicking critical dimension ...

2022年11月19日 · 2.套刻精度 (overlay，ovl)是指在光刻制造工艺中，当前层图形和前层图形的叠对位置精度。 随着半导体工艺的发展，其图形的关键尺寸不断减小，对ovl的精度要求也越来越高，一般来讲，层与层之间的套刻精度需要控制在硅片关键尺寸的25％～30％。 如何更加精准的量测ovl的值是非常重要的。 现在业界主要有asml (阿斯麦尔)和kt (科天)两家在做ovl (套准)机台，asml主要用udbo机台，利用光的衍射原理来量测ovl的大小，而kt利用image (图像)的方式来 …

2017年3月28日 · This time, in order to measure overlay after lithography, we evaluated the see-through overlay using high voltage SEM CV5000 released in October 2016. In collaboration between imec and Hitachi High-Technologies, we evaluated repeatability, TIS of SEM-OVL as well as correlation between SEM-OVL and Opt-OVL in the M1@ADI and V0@ADI process.

2014年2月28日 · Our study shows that the CD-SEM technique combined with our PSD fitting method is much more powerful than CD-AFM to get all roughness information (true LWR, correlation length, and roughness ...

2023年7月26日 · SEM扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope），业界主要用来量测特征尺寸（Critical Dimension）以及表面形貌成像。 其原理是通过入射电子轰击待测样品表面，样品表面原子吸收入射电子并激发产生二次电子（Secondary Electron），通过收集到的二次电子，将 …

cd-sem是利用电子束的二次成像技术来成像，最终测定关键尺寸大小。ovl(套准)是利用光学来测量不同层次的对准偏差。通常，ovl机台的价格远远低于cd-sem机台的价格，因此，如果能用现有一般的ovl机台来进行关键尺寸大小的量测， 就有更强的经济适应性。 发明内容

2022年6月11日 · 本文介绍了半导体制造中的线上量测技术，包括CDSEM、HV CDSEM、Ellipsometry和OCD（SCD）。 CDSEM用于量测特征尺寸和表面形貌，HV CDSEM适用于深孔和槽的量测，Ellipsometry侧重薄膜厚度，OCD则用于多维度的薄膜特性分析。 此外，还讨论了套刻精度（OVL）的重要性及其在保证工艺窗口中的作用。 这些技术在确保芯片质量和工艺控制中起到关键作用。 摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

2022年5月26日 · While most available in-chip overlay metrologies require dedicated target or dedicated tools, we developed a new method that aims to augment the current SEM tool park into measuring the local...