对于sram测试芯片，台积电展示，同时具有高电流（hc）和高密度（hd） sram单元，单元面积分别为25000 nm2和21000 nm2。台积电正积极推广其hd sram单元，号称其面积是有史以来最小的。

这篇文章带大家过一遍作为一个设计人员，必须要懂的SRAM一些工作原理。 1. 先从 SRAM cell 讲起. SRAM cell, 顾名思义，SRAM中负责存储的单元。 Static Random Access Memory。 这玩意儿最普通的只有6个晶体管，一般由代工厂提供。 先来个好记的图，让你一眼就看明白原理。 说白了，就是两个首尾相连的反相器。 这两反相器容易搞出正反馈，最后稳定在一个值。 这个地方我留个小问题供大家思考。 SRAM cell和latch有什么区别？ 好记的图看完了，我们来看看实际 …

2020年3月9日 · 台积电5nm工艺拥有世界上最小的SRAM单元（0.021平方微米），除开创性的器件工艺，例如高迁移率沟道（HMC），极紫外（EUV）图形化的应用外（可在此 ...

2019年12月12日 · 对于sram芯片，台积电展示了它同时具有大电流（hc）和高密度（hd）sram单元，其尺寸分别为25000 nm和21000 nm。台积电正在积极推广其hd sram单元，这是有史以来最小的单元。

如图7所示，所提供的高电流(HC)和高密度(HD) SRAM电池的电池面积分别为0.025um2 和0.021um2 ，是业界密度最高的器件。 实现了始终如一的256 Mb SRAM高良率，逻辑测试芯片的峰值良率大于90％，平均良率约为80％（无需维修）。

2020年1月16日 · 对于SRAM测试芯片，台积电展示了它同时具有高电流（HC）和高密度（HD） SRAM单元，单元面积分别为25000 nm 2 和21000 nm 2。 台积电正积极推广其HD SRAM单元，号称其面积是有史以来最小的。 对于第二种组合测试芯片，台积电表示该芯片由30%的SRAM、60%的逻辑 (CPU/GPU)和10%的IO组成。 在这个芯片中SRAM大小为256Mb，这意味着我们可以计算出其面积。 在21000 nm 2 的情况下，一个256 Mb SRAM的die面积为5.376 mm2。 台积 …

This paper gives two designs of 6T high density(HD) SRAM with (Complementary Field-Effect-Transistor) CFET unit. Compared to 9 Fin pitch (FP) cell height of GAA consisted 6T SRAM, our CFET design achieve 6FP and even a 5FP cell height, thus shrinking the cell area to ∼11520 nm 2, 44.4% shrinking compared to GAA constructed SRAM. The ...

2020年3月19日 · 在去年年底于旧金山举行的国际电子设备会议（IEDM）上，台积电Geoffrey Yeap发表了“5nm CMOS生产技术平台”的演讲，该平台使用了成熟的EUV和高迁移率的沟道FINFET，其具备最高密度的0.021μm2SRAM单元，能备用用于移动SoC和高性能计算等应用。 在过去的一段时间里，5-nm (N5)工艺的细节已经被慢慢公布，最近一次是在去年4月份的技术研讨会和今年一月份的开放创新平台创新论坛 (OIP)上，还有Arm TechCon，这些活动都在硅谷举行 …

2021年12月7日 · MBIST是使用BIST逻辑对memory进行测试的一种方式，可以定位出SRAM的坏点，并且通过调用column/row的redundancy来进行修复（通常也称为MBISR：SRAM自修复功能）。 MBIST的测试方法高效，和带有redundancy bit的memory联动使用可以有效提升芯片的良率。 基本原理图如下. step_3：如果可修复，在ATE模式下，通过利用redundancy bit，对memory 进行修复，如果此时MBIST的测试可以通过，则相关信息烧录进在EFUSE里边。 step_4：进入 …

已证实的高密度SRAM单元尺寸为0.0199μm2，是迄今为止最小的尺寸。 简介. 为提高芯片密度或降低每晶体管成本，接触栅间距或接触多晶硅间距（CPP）缩放一直是CMOS技术发展的重要主题。 尽管各种3DIC或芯粒架构在扩展摩尔定律方面取得了重大进展，但为了在设计中有效集成更多功能，人们对于先进技术中的芯片面积缩放仍然抱有更高期待。...