mps发展如下：最初，sic 纯肖特基二极管以其更小的正向压降和更快的开关速度，在中压应用领域代替了si 快恢复二极管；之后，人们为了同时获取较低的正向压降、较小的反向漏电、较快的开关速度，将纯肖特基二极管和pin 二极管结合在一起，开发出了sic jbs 二 ...

2020年11月18日 · 本周《涨知识啦》主要给大家介绍的是结势垒肖特基二极管（JBS：Junction Barrier Controlled Schottky Diode）和混合式PIN-肖特基二极管（MPS：Merged PIN Schottky Diode）的区别。首先，不知道大家看到下边这张图后第一时间想到的是什么结构呢，JBS还是MPS？是不是傻傻分不清楚？

The on-state voltage drop of the MPS diode is determined by the resistance of the drift region, the metal-SiC barrier height, and the relative area of the Schottky vs. the p+ implanted regions. For reverse bias conditions, the depletion regions from adjacent p+ implanted regions pinch-off the leakage current arising from the Schottky contacts ...

2025年3月13日 · 功率因数校正和升压电路中引入的mps二极管具有优异的击穿电压、出色的反向恢复特性、耐温稳定性和与所有sic器件相关的高温工作能力，提高了可靠性，显著提高

2024年7月2日 · Nexperia（安世半导体）的新型 SiC 肖特基二极管集成了宽带隙半导体材料（碳化硅）的优点、 MPS 器件结构及其“薄型 SiC ”技术带来的额外优势。 凭借其在工艺开发和器件制造方面的专业知识， Nexperia（安世半导体）能够进一步提高这款新产品的性能，使其在 ...

本文理论分析了 MPS 器件的正向导通、反向阻断和击穿特性. 以 4H SiC 材料为例模拟 和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和 PN 结网格宽度、PN 结深度和 掺杂浓度等主要的结构参数。 成功的制作了以 Ni 做肖特基金属, 拥有 JTE 终端的 4H-SiC MPS 二极管 , 器件的击穿电压在 600V-700V 之间, 约为平行平板结理论值的 70%, 反向漏电流在 -600V 时小于 10-6 A/cm2, 而正向电流密度在 3.5V 时可达 1000A/cm2 . 器件的反向特性由 PN 结确定,说明了 PN 结屏蔽 …

2024年9月19日 · sic mps 二极管兼具肖特基二极管和 pin 二极管的实用功能。 这种结构使二极管具有快速开关、低导通压降、低关断漏电和良好的高温特性。 采用纯肖特基结的二极管能够实现尽可能低的正向电压，但在大电流情况下会出现问题，例如某些 PFC 应用中的浪涌电流。

MPS (merged-pin-Schottky) structure combines the shielding of the electric field from the Schottky barrier and an increased surge current capability by hole injection. Dashed lines (left) show current density at higher currents. Cell design (right) of …

2015年9月9日 · 本文对4H—SiCMPS的工作机. 理进行了模拟分析，优化设计了器件结构，并对其功率损耗特性进行了研究。 模拟了4H．SiCMPS的输运特性，对其工作机理进行了二维分析。 通过对器件. 之间的『自J隙柬影响肖特基的导电沟道这一结论。 （MPs结构的应用，在保留SBD正. 这一优势。 提出了一种新的4H．SiCMPS解析模型。 基于此模型，提出在对诈反向特性进. PN结深度和掺杂浓度。 通过对4H．SiCMPS击穿特性的二维模拟，提出如何选择. 电压。 建立 …

混合pin肖特基(mps)二极管，具有开启电压小、导通电流大、开关速度快、反向漏电流小、击穿电压高的特点，是最为理想的一种功率二极管。 兼具SBD二极管良好的正向特性、开关特性和PiN二极管优异的击穿特性。