摘要： 上一节谈到了JBS的大致概念，了解了这是一种耐高压、高速的整流器件，结合现在比较火的功率器件材料——4H-SiC，本节就谈谈4H-SiC JBS的一些知识。 专栏持续更新，欢迎关注、点赞、收藏。 内容如有错误，欢迎指正。 未经允许，请勿转载。 4H-SiC结势垒肖特基二极管的结构如图所示，在普通的4H-SiC肖特基二极管的漂移区集成多个PN结。 4H-SiC JBS的工作原理如下： 加正向偏置电压时，由于 肖特基势垒 低，肖特基二极管首先导通，随着反向偏置电压的增 …

2023年10月17日 · sic半导体功率器件主要包括两大类：二级管类和晶体管类，其中sic肖特基势垒二极管（sicsbd），具有高反向恢复速度、高耐压、高频等特点，广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路（pfc电路）和整流 ...

2024年3月11日 · 摘要：本节介绍另一种肖特基势垒二极管结构：结势垒肖特基二极管，简称JBS（Junction Barrier Schottky）。 主要包括JBS器件结构介绍，JBS基本电特性分析，以及对JBS器件性能影响的一些参数分析等。

SiC具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。 SiC独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解SiC的结构。 SiC有超过200多种多型结构，最普通的是立方3C，六角4H和6H，菱方15R。 这些多型结构以Si-C双原子为结构的基本单元，采用不同的堆垛方式排列而成，如图1所示。 图1从结构示意图可以看出：2H具有最简单的六角结构（纤锌矿结构），其堆垛顺序为AB；技术上最重要的材料4H、6H的堆垛 …

This novel device structure incorporating low-barrier Schottky contact metal and trench-assisted stage-style p-implants (SPs) in the dead region of current flow suggests a promising way to develop more advanced 4H-SiC JBS diodes in the future.

2019年1月1日 · The SiC-JBS diode structure can achieve a significant improvement in leakage current by shielding the Schottky contact against high electric field. Switching power losses are very low for the SiC-JBS diodes; therefore, the design strategy is to minimize the on-state losses for a rated voltage.

2002年11月30日 · Abstract: This paper reports the detailed design, fabrication, and characterization of two sets of high-power 4H-silicon carbide (4H-SiC) junction barrier Schottky (JBS) diodes - one with a 1500-V, 4-A capability and another with 1410-V, 20-A capability.

The JBS structure is capable of suppressing leakage current through reduction of the electric field on a surface with many defects by the depletion region in the p-region embedded below the semiconductor surface.

2017年9月5日 · This paper reports the detailed design, fabrication and characterization of 3300 V 4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes. It features an n-type epilayer with thickness of 33 μm and doping concentration of 3 × 10 15 cm − 3 and a single-zone junction termination extension (JTE) termination.

2016年4月19日 · 扬杰科技新品碳化硅jbs肖特基二极管，利用jbs结构的特点，可以改善肖特基二极管漏电大的问题，减小器件的关态耗散功率;采用减薄工艺降低器件的导通电阻，以提高器件正向电流密度，降低vf。