This paper explores an optimized structure for hybrid packaging and designs a SiC MOSFET phase-leg power module using printed circuit board (PCB) plus direct bonding copper (DBC) structure. The improved design significantly reduces parasitic inductance in both the power and gate loops while enabling an in-situ integration of driver.

2023年8月13日 · 传统模块封装使用的敷铜陶瓷板 (direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二维平面上布局，电流回路面积大，杂散电感参数大。 CPES、华中科技大学等团队将DBC 工艺和 PCB 板相结合，利用金属键合线将芯片上表面的连接到 PCB 板，控制换流回路在 PCB 层间，大大减小了电流回路面积，进而减小杂散电感参数。 如图 3 所示，该混合封装可将杂散电感可控制在 5nH 以下，体积相比于传统模块下降 40%。 柔性PCB 板结合 烧结银工艺 的封装方式也被用于 …

针对传统2d布局功率模块的缺点，本文提出了一种sic功率模块采用多个dbc堆叠单元的封装方法。 详细介绍了建议的DBC单元和电源模块，以及 提供了不同DBC之间的多种连接情况。

2021年1月13日 · 摘要：双面散热 (Double-sided cooling, DSC)封装能大幅降低封装寄生电感和结壳热阻，提升电气装备的功率密度，是SiC 功率模块的发展趋势。 然而，DSC SiC 功率模块的失效机理不明、寿命模型缺失，成为制约其商业化应用的关键瓶颈，亟待技术突破。 传统加速老化实验方法的成本较高、耗时较长，不利于产品的快速迭代升级。 针对 DSC SiC 功率模块的可靠性研究，文中提出一种基于有限元的分析方法，基于材料的疲劳老化模型及功率模块的失效判据，建 …

sic模块内部总寄生电感主要由三部分组成,即dbc布局寄生电感、键合线寄生电感、功率端子处的寄生电感组成,对模块杂散电感的优化方式主要归结为降低自感与利用互感两条技术路线。

Abstract: A new DBC-based hybrid packaging and integration method is proposed in this paper. A multilayer power module is formed by a direct-bond-copper (DBC) and a window cutting printed circuit board (PCB). The SiC chips and PCB are placed and soldering on the DBC. Al bonding wires are used for connecting the chips and the PCB.

This paper proposed an integrated half-bridge (HB) power module based on a direct bonding copper (DBC)-stacked hybrid packaging structure. This packaging structure utilizes two DBC substrates to stack together, which form a 3-D power commutation loop. The SiC chips are embedded on the top of the bottom DBC substrate to reduce the thermal ...

2023年7月5日 · Compound semiconductor SiC chips have been directly bonded with DBC alumina substrates at a low temperature of 250 °C through the employment of high-density Ag (111) nanotwins. The large number of voids that generally appears in die bonded power modulus using the conventional Ag sintering method can be effectively prevented.

覆铜陶瓷基板按工艺分可以一般可分为 DBC (Direct bonded copper直接覆铜陶瓷基板)、DPC (Direct plated copper，直接电镀陶瓷基板)、 AMB (Ac tive metal brazing，活性金属钎焊陶瓷基板) 等。其中 DBC 和 AMB 覆铜陶瓷基板在半导体功率模块中被大量应用。

2022年5月6日 · 近几十年来，以新发展起来的第 3 代宽禁带 功率半导体 材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。 SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第 2 代半导体材料 砷化镓 （GaAs）、磷化镓（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁带宽度更宽，耐高温特性更强，开关频率更高，损耗更低，稳定性更好，被广泛应用于替代硅基材料或硅基材料难以适应的应用场合。 （1）禁带宽度更宽：SiC 的禁带宽度比 Si高 3倍 …