深入解析ReRAM！_reram工作原理-CSDN博客
2024年6月29日 · 电阻式随机存取存储器（ReRAM或RRAM）作为下一代内存技术脱颖而出，有望彻底改变数据存储方式。 ReRAM单元利用材料的电阻开关特性，提供了一个简单的结构，可 …
读书笔记一：RRAM (ReRAM) - 知乎 - 知乎专栏
介绍了非易失性存储器（non-volatile memory, NVM）RRAM的基本原理。 其基本原理是： (1) 在未加电压时，由于电极间氧化层默认绝缘，RRAM两端为高阻抗状态（HRS）； (2) 在两端加 …
基于忆阻器（ReRAM），Computing-in-Memory 的DLA - 知乎
PRIME不像前面讨论的ISAAC和AEPE，PRIME直接抛弃了AEPE里的eDRAM、Register buffer这样的存储结构设计，全部用ReRAM实现，设计了一种可变的内存计算架构：巧妙结合 …
昕知识 | 关于ReRAM（RRAM）的7个小问题，你都知道么？
ReRAM全称为Resistive Random Access Memory，电阻式随机存取存储器，是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。
Resistive random-access memory - Wikipedia
Resistive random-access memory (ReRAM or RRAM) is a type of non-volatile (NV) random-access (RAM) computer memory that works by changing the resistance across a dielectric …
可變電阻式記憶體 - 維基百科，自由的百科全書
可變電阻式記憶體（英語： Resistive random-access memory ，縮寫為 RRAM 或 ReRAM ），是一種新型的非揮發性記憶體，和另一種新型的磁阻式隨機存取記憶體一起屬於新世代的記憶體。
ReRAM: History, Status, and Future - IEEE Xplore
2020年1月16日 · This article reviews the resistive random-access memory (ReRAM) technology initialization back in the 1960s and its heavily focused research and development from the …
一文了解ReRAM - CSDN博客
2024年6月28日 · 电阻式随机存取存储器（ReRAM或RRAM）作为下一代内存技术脱颖而出，有望彻底改变数据存储方式。 ReRAM单元利用材料的电阻开关特性，提供了一个简单的结构，可 …
[原创] ReRAM突然就火了，准备好了吗？|半导体行业观察 - 知乎
氧空缺 ReRAM 也被称为基于氧化物的 ReRAM（oxide-based ReRAM），简称 OxRAM。 OxRAM 和 CBRAM 都是二端器件——由一个顶部电极和一个底部电极组成。 在两个电极之间 …
The Ultimate Guide to ReRAM - AnySilicon
ReRAM’s simple structure allows for high-density memory modules that are ideal for IoT devices, which often have limitations on space and power. The non-volatile character of ReRAM means …