19.7 A 16Gb ReRAM with 200MB/s write and 1GB/s read in 27nm technology
This work describes a 16Gb ReRAM designed in a 27nm node, with a 1GB/s DDR interface and an 8-bank concurrent DRAM-like core architecture. High parallelism, a pipelined data-path …
Resistive random-access memory - Wikipedia
Resistive random-access memory (ReRAM or RRAM) is a type of non-volatile (NV) random-access (RAM) computer memory that works by changing the resistance across a dielectric …
A 130.7mm 2 2-layer 32Gb ReRAM memory device in 24nm …
2013年3月28日 · Abstract: ReRAM has been considered as one of the potential technologies for the next-generation nonvolatile memory, given its fast access speed, high reliability, and multi …
A 130.7-- 2-Layer 32-Gb ReRAM Memory Device in 24-nm …
Abstract: A 32-Gb ReRAM test chip has been developed in a 24-nm process, with a diode as the selection device and metal oxide as the switching element. The memory array is constructed …
[原创] ReRAM突然就火了，准备好了吗？|半导体行业观察 - 知乎
电阻式随机存取存储器（ReRAM）是一种正处于开发阶段的下一代内存技术。 在经历了多年的挫折之后，这项技术终于开始受到欢迎了。 富士通 和松下正在联合加大投入开发第二代 …
可变电阻式存储器 - 维基百科，自由的百科全书
2025年2月17日 · 可变电阻式存储器 （英语： Resistive random-access memory，缩写为 RRAM 或 ReRAM），是一种新型的 非易失性存储器，和另一种新型的 磁阻式随机存储器 一起属于 …
深入解析ReRAM！_reram工作原理-CSDN博客
2024年6月29日 · 电阻式随机存取存储器（ReRAM或RRAM）作为下一代内存技术脱颖而出，有望彻底改变数据存储方式。 ReRAM单元利用材料的电阻开关特性，提供了一个简单的结构，可 …
MRAM、PCM和ReRAM，下一代的存储器会是谁？ - 知乎专栏
reram：电阻式随机存取非易失性存储器。 ReRAM关闭电源后存储器仍能记住数据。 ReRAM可以由许多化合物制成，ReRAM的主要优势在于其可扩展性、CMOS兼容性、低功耗和电导调制 …
下一代存储器中谁更有潜力？ReRAM成功试产将给国产存储芯片 …
据EE Times ASIA 3月24日报道， ReRAM （可变电阻式存储器）的特性使其在人工智能、 存内计算 和旨在模仿人脑的应用程序中具有显著优势，成为下一代内存的主要竞争者。 ReRAM是电 …
一文了解ReRAM - CSDN博客
2024年6月28日 · 电阻式随机存取存储器（ReRAM或RRAM）作为下一代内存技术脱颖而出，有望彻底改变数据存储方式。 ReRAM单元利用材料的电阻开关特性，提供了一个简单的结构，可 …
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