2024年8月26日 · RDL是将原来设计的芯片线路接点位置 (I/O pad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，使芯片能适用于不同的封装形式。 基于明阳在半导体领域的布局，先进封装载板与测试板进行工艺技术研发。 当前工艺主要分为tenting，mSAP，SAP三种，Tenting制程由于蚀刻工艺的限制， 通常难以制作线宽/线距小于30/30μm的线路，mSAP制程的是在超薄铜箔上进行线路铜的加厚，随后通过闪蚀工得到完整的导电线路。 具有制作线宽/线距小至25/25μm及 …

2022年5月9日 · 2016年推出的iPhone 7中的 A10处理器 ，采用TSMC 16nm FinFET 工艺以及 InFO（Integrated Fan-out）技术，成功将AP与LPDDR整合在同一个封装中，为未来几年的移动封装技术立下新的标竿。InFO封装也成为台积电独占苹果A系列处理器订单的关键技术之一。

1 天前 · RDL是将原来设计的芯片线路接点位置(I/O pad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，同时满足焊球间最小间距的约束。 InFO技术在2016年的苹果A10芯片上得到应用，并衍生出新的技术应用：InFO-oS、InFO-LSI、InFO-PoP以及InFO-AiP等。

RDL，全名 Redistribution Layer ，中文名重布线层。 通过RDL工艺，可以将可以将 I/O焊盘 从芯片中心移到边缘，分布在更宽广的区域上。 特别适用于需要高I/O数量的 先进封装 。

RDL（Re-Distribution Layer，重布线层）为先进封装的关键互连工艺之一，可将多个芯片集成到单个封装中。 在介电层顶部创建图案化金属层的过程，将 IC 的输 入/输出（I/O）重新分配到新位置。

RDL（ReDistribution Layer，重布线层）是晶圆级封装（WLP）中的关键结构，用于重新分配芯片的输入/输出（I/O）接点位置。传统芯片的I/O焊盘（Pad）通常位于芯片边缘，限制了封装密度和信号传输效率。

InFO_PoP, the industry's 1st 3D wafer level fan-out package, features high density RDL and TIV to integrate mobile AP w/ DRAM package stacking for mobile application. Comparing to FC_PoP, InFO_PoP has a thinner profile and better electrical and thermal performances because of no organic substrate and C4 bump.

InFO技术在苹果A10芯片上首次得到应用，并衍生出多种技术应用，包括InFO-oS、InFO-LSI、InFO-PoP以及InFO-AiP等。 ... 由于芯片之间的连接更短，还可以提高芯片性能并减少延迟。RDL层的使用进一步降低了设计成本，支持更多的引脚数量，并提高了元件的可靠性。 ...

RDL （ReDistribution Layer，重布线层） 是 晶圆级封装 （WLP）中的关键结构，用于重新分配芯片的输入/输出（I/O）接点位置。传统芯片的I/O焊盘（Pad）通常位于芯片边缘，限制了封装密度和信号传输效率。

台積電在2014年宣傳InFO技術進入量產準備時，稱重佈線層（RDL）間距（pitch）更小（如10微米），且封裝體厚度更薄。 InFO給予了多個晶片集成封裝的空間，比如：8mm x 8mm平臺可用於射頻和無線晶片的封裝，15mm x 15mm可用于應用處理器和基帶晶片封裝，而更大尺寸如 ...