Latest results on 1200 V 4H-SiC CIMOSFETs with Rsp, on of 3.9 …
2015年6月15日 · In this paper, the latest results on 1200 V rated, 20 A SiC CIMOSFETs are described. The specific on-resistance (R sp, on) values are further reduced to 2.7 mΩ·cm 2 at …
SIC MOSFET碳化硅芯片的设计和制造 - 知乎 - 知乎专栏
SiC JTE （结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早击穿至关重要。 以下 …
1200 V 14 mΩ SiC MOSFET with Low Specific On-Resistance of 3.3 …
Pursuing lower specific on-resistance (Rsp,on) at certain rated voltages is the critical aim for more advanced devices with smaller size and higher efficiency. Here, we represent a successful …
碳化硅（SiC）纵览—第 4 期：罗姆第四代 SiC MOSFET 技术评论
罗姆（ROHM） 今年发布了他们的第 4 代 (Gen 4) SiC MOSFET 产品。 新系列包括额定电压为 750 V（从 650 V 提升而来）和 1200 V 的 MOSFET，以及 56A/24mΩ 条件下的车规级TO247 …
全面升级！安森美第二代1200VSiCMOSFET关键特性解析
2024年3月25日 · 安森美(onsemi) 发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。 M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降 …
安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析 - 艾邦半导体网
安森美(onsemi) 发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。 M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP ( …
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on) - 阿基米德半导体（合肥） …
2024年6月14日 · 定义：Rsp即比导通电阻值，是指器件的导通电阻与芯片有源区面积的乘积。 它代表了在单位面积下，器件导通时所呈现的电阻值。 计算方式：通常情况下，比导通电阻可 …
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on) - 世强硬创平台
2024年7月11日 · 定义：Rsp即比导通电阻值，是指器件的导通电阻与芯片有源区面积的乘积。它代表了在单位面积下，器件导通时所呈现的电阻值。 计算方式：通常情况下，比导通电阻可 …
In this article we explore the application of the M3S family of 1200V SiC MOSFETs in high power bridgeless bi-directional PFC designs to help designers exploit its benefits in the power stage …
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析
安森美(onsemi) 发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。 M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP ( …