In semiconductor manufacturing, the 3 nm process is the next die shrink after the 5 nm MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) technology node.

实际上，三星在2022年下半年宣布量产的3nm(sf3e)工艺上就已经开始采用gaafet器件结构。 然而，一方面似乎到目前为止SF3E都只有一款挖矿币芯片采用，另一方面台积电和Intel都决定从2nm(或20A)工艺开始采用这种晶体管结构，因此可以认为GAAFET是半导体尖端制造工艺 ...

2025年2月21日 · 3 纳米 制程 是 半导体制造 制程 的一个水准，此技术必须使用EUV进行生产。 甚至是高数值孔径极紫外光。 [1] 国际设备与系统发展路线图（IRDS）在2017年曾预计3纳米制程将在2024年量产 [2]。 2017年9月29日， 台积电 宣布未来3 纳米 （nm）制程晶圆厂，落脚 台湾 台南市 的 南部科学工业园区，预计最快2022年量产 [3]。 台积电 于2020年第一季宣布3纳米制程将在2021年试产，并在2022下半年正式量产，其3纳米制程继续采用 FinFET （鳍式场效应管） …

比如基于 台积电 5nm制程的 苹果A15 /M1(Pro&Max)芯片、最近三星和台积电的3nm决战、以及高调回归的 Intel 的未来制程 Roadmap 。那么“5nm”/“10nm”这些词是什么意思呢？

3 奈米 製程 是 半导体制造 制程 的一個水準，此技術必須使用EUV進行生產。 甚至是高數值孔徑極紫外光。 [1] 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計3奈米製程將在2024年量產 [2]。 2017年9月29日， 台積電 宣布未來3 奈米 （nm）製程晶圓廠，落腳 台灣 台南市 的 南部科學工業園區，預計最快2022年量產 [3]。 台積電 於2020年第一季宣布3奈米製程將在2021年試產，並在2022下半年正式量產，其3奈米製程繼續採用 FinFET （鰭式場效電晶體） [4]。 2019年5 …

2023年2月4日 · 最近有媒体报道称，如果真要按照栅级的宽度来命名纳米工艺，那么台积电、三星的3nm工艺，其栅级实际宽度可能在22nm左右，但现在没人用栅级宽度来命名工艺了。

2024年3月28日 · 3nm工艺是目前半导体制造中的前沿技术，相比于之前的5nm工艺，3nm能够带来更高的晶体管密度、更快的处理速度、更低的功耗以及更优的性… 切换模式 写文章

3 奈米 製程 是 半導體製造 製程 的一個水準，此技術必須使用EUV進行生產。 甚至是高數值孔徑極紫外光。 [1] 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計3奈米製程將在2024年量產 [2]。 2017年9月29日， 台積電 宣布未來3 奈米 （nm）製程晶圓廠，落腳 台灣 台南市 的 南部科學工業園區，預計最快2022年量產 [3]。 台積電 於2020年第一季宣布3奈米製程將在2021年試產，並在2022下半年正式量產，其3奈米製程繼續採用 FinFET （鰭式場效電晶體） [4]。 2019年5 …

本文介绍了最先进的3nm平台技术，该技术具有目标器件性能、标准单元设计和关键基本规则的扩展创新。 除了成功地将批量FinFET扩展到3nm节点之外，FinFlex™标准单元创新还提供了多单元架构所需的更大设计灵活性。

台积电在先进制程领先的道路上一往无前，计划3nm技术于2021年进入风险生产、在2022年开始量产，而英特尔的7nm预计最早推出也要到2022年末。 据介绍， 相较5nm N5工艺，相同功耗下，台积电3nm N3性能可提高10-15％；相同性能下，N3功耗可降低25-30％；N3的逻辑密度 ...