Industry-standard footprint, compatible with SuperSO8 and PQFN 5x6 products; Lower conduction and switching losses for higher system efficiency. Superior power handling capability. Higher power density designs. Improved reliability and longer lifetime.

PQFN 5X6 mm Orderable Part Number Form Quantity IRFH7004PBF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 4000 IRFH7004TRPBF Base Part Number Package Type Standard Pack DSS 40V RDS(on) typ. 1.1mΩ max. 1.4m Ω I D (Silicon Limited) 259A I …

提供了用于中压应用的双面散热、底部散热和顶部散热封装之间的散热差异基本信息;特指 5x6 PQFN 封装。 此外,还提供了一些用例研究,基于热仿真和热测量,在系统层面上显示了双面散热相较于底部散热的优势。 熟悉热阻概念,但希望进一步了解相关信息的初级系统和硬件工程师以及 DC-DC 转换器、开关模式电源 (SMPS) 和电动工具驱动应用设计师。 希望进一步了解双面散热 MOSFET 的优势及用例的高级系统和硬件工程师以及 DC-DC 转换器、SMPS 和电动工具驱动 …

It provides basic information on the differences between dual-side cooled, bottom-side cooled and top-side cooled packages for medium-voltage applications; referring in particular to the 5x6 PQFN package.

英飞凌irfh7085trpbf是一款高性能、超低导通电阻的n沟道增强型功率mosfet，采用pqfn(5x6)封装，专为高频开关应用设计。 本文将对该器件进行深入解析，从结构、特性、应用、优势等方面进行详细介绍，以帮助读者更全面地了解该器件及其应用场景。

IRFH7914TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PQFN（5x6）封装。 该器件适用于各种高功率应用，如电源转换、电机驱动和工业控制等。

使用底部散热解决方案（如 superso8、pqfn 5x6）时，mosfet 产生的大部分热量会传递到 pcb，由于其热阻大，因此 pcb 温度会升高。 而双面散热解决方案增加了另一条散热路径（底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热），以消散 MOSFET 芯片中产生的热量。

pqfn 是一种表面贴装型塑料封装，封装下表面附有引脚。 根据设备要求和目标应用，所有 PQFN 封装均设计为采用单个外露式散热引脚（标志）或多个外露式散热引脚。

The OptiMOS™ low- and medium-voltage power MOSFET family in PQFN 3.3x3.3 mm² and PQFN 5x6 mm² Source-Down packages are the perfect match in drives, solar, SMPS, telecom, and server applications.

英飞凌 IRFH5250TRPBF 是一款采用 PQFN (5x6) 封装的 N 沟道增强型 MOSFET，其拥有出色的性能和可靠性，广泛应用于各种工业、汽车和消费电子领域。 二、主要特性. * 低导通电阻 (RDS (ON))： IRFH5250TRPBF 的 RDS (ON) 仅为 1.6 mΩ（@VGS = 10V，ID = 150A），这使得它在高电流应用中能够有效降低功耗。 * 高电流容量： 该器件能够承受高达 150A 的连续电流，并在脉冲模式下提供更高的电流能力，满足高功率应用的需求。 * 低栅极电荷 (Qg)： 较低的 Qg 意 …