2024年2月19日 · Abstract: A decoupled plasma nitridation (DPN)/postnitridation annealing (PNA) process scheme to reduce the metal boundary effect (MBE) was experimentally demonstrated using a 28-nm high-$k$ first/gate last process platform. Through extensive physical and electrical characterization, it was found that the main reason for the MBE effect could be ...

2014年8月12日 · 氮化后 热退火处理 (Post Nitridation Anneal, PNA)是制备等离子氮化SiON栅氧化层的一个重要步骤，主要用于修复晶格损伤并形成稳定Si-N 键，同时在氧化氛围下通过界面的二次氧化反应来修复SiO2/Si 界面的损伤。 本文通过对传统栅氧制备工艺中PNA 单一高温退火工艺的温度、气体氛围进行优化，提供了一种通过提高栅氧化物的氮含量来提其高介电常数的方法。 实验数据表明，与传统的制备方法相比，采用本方法所制备的SiON 栅氧化层中氮含量可以提高30% …

Centura DPN HD（高浓度）系统由集成到 Centura 主机上的等离子氮化和氮化后退火（PNA）工艺腔室组成。 它将 DPN（去耦合等离子氮化）系列产品的氮化能力拓展用于动态随机存储器（DRAM）外围栅，进一步完善了应用材料公司长期领先业界的逻辑器件氮化技术。

2016年1月27日 · DPN工艺. 基于常规氮处理技术在90nm以下技术的不足， 应用材料公司通过对其成熟产品DPS腔体进行相应. 的改进后，开发了DPN(decoupledplasma. nitridation)工艺。该工艺成功地应用于90nm及. 其以下技术，电参数测试结果表明，采用DPN处理

This paper investigates the use of pulsed-RF decoupled plasma nitridation (DPN) for the growth of oxynitride gate dielectrics for 65 nm general purpose (GP) applications. The effects of several DPN plasma parameters, base oxide thickness and post-nitridation anneal (PNA) conditions on device performance were evaluated.

2015年3月1日 · A decoupled plasma nitridation (DPN) with post nitridation annealing (PNA) treatment method was introduced to improve the performances of MOS devices with high-k (HK)-last/gate-last integration scheme and chemical oxide interface layer (IL).

2021年6月22日 · 现有方法中，业界对栅氧掺氮退火即pna温度波动的监控是靠观察硅片光片上形成的栅氧化层的厚度的变化来实现。也即在硅片中采用issg、dpn和pna形成栅氧化层后，对栅氧化层进行厚度测量，然后根据栅氧化层的厚度的变化来对pna温度波动进行监控。

摘要 通过去耦等离子体氮化 (DPN) 处理将可行的氮浓度和退火温度暴露在沉积后作为栅极电介质的高 k 电介质中，对于提高高 k 值和防止栅极泄漏令人印象深刻。

2015年6月1日 · Influence of ISSG tunnel oxide layer with DPN on the erase reliability was investigated. The erase performance of flash cells was significantly degraded when DPN was applied. The bulk oxide traps contribution to V th shift is increased more notably in ISSG tunnel oxide with DPN.

2018年4月25日 · 实验结果表明:与没有经过高温N2实时退火处理的栅氧化层相比，经过高温N2实时退火处理的栅氧化层表面均匀度可提高40%左右，栅氧界面态总电荷可减少一 个数量级。 PMOS器件负偏压不稳定性 (NBTI)测试中0.1%样品失效时间 (t0.1%)和50%样品失效时间 (t50%)分别提高28.6%和40.7%。