IDD 表示的是 CMOS 电路中从漏极（D）到漏极（D）的电流（I），如果是 TTL 电路则称为 ICC（从集电极到集电极的电流）。 Gross IDD 指的是流入 VDD 管脚的总电流（在 Wafer Probe 或成品阶段都可测试）。 IDD 是看芯片总电流会不会超标，一般要看最低功耗和最大工频下的电流。 测试 Gross IDD 是为了判断能否继续测 DUT。 通常这个测试紧接 OS 测试，是 DUT 通电后的第一个测试。 如果 Gross IDD 测试不通过（如电流过大），那就不能接着测下去了。 在 …

2025年4月2日 · DUT，即被测器件，指在测试过程中被测量、分析或验证性能的集成电路或电子组件。 在集成电路测试领域，DUT通常是芯片或特定模块，ATE将对其施加各种电压、电流信号，以检查其在特定条件下是否能够按设计预期工作。 2. DUT在不同测试阶段的角色. DUT在不同测试阶段的测试需求各不相同，主要包括： 实验室数据分析测试：在此阶段，DUT通过ATE进行深度特性分析，例如频率响应、噪声特性等。 测试工程师通过精确控制和调节测试参数，来获得芯片 …

本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET 功率器件的开关动态测试与评估,对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT 等其他类型的SiC 晶体管功率器件,可参照本文件执行。 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 T/CASA 002—2021、T/CASA 006—2020界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 具有金属氧化物 …

电子负载 在硬件测试中是使用频率比较高的设备之一，是一种从电源吸收电流并消耗功率的测试仪器，基本都是通过控制内部功率器件（Mosfet）导通量,依靠功率管的耗散功率消耗电能。 很多初入硬件或者硬件测试的小伙伴分不清楚电源和负载的区别，简单的说： 电源：提供功率的设备，输出电流以供DUT正常工作. 负载：消耗功率的设备，吸收DUT的输出电流，将电流转换为热能耗散掉。 电子负载按照带载类型主要分为三种：直流电子负载、交流电子负载、交直流电子负载 …

2024年11月10日 · DUT，即被测器件，指在测试过程中被测量、分析或验证性能的集成电路或电子组件。 在集成电路测试领域，DUT通常是芯片或特定模块，ATE将对其施加各种电压、电流信号，以检查其在特定条件下是否能够按设计预期工作。 2. DUT在不同测试阶段的角色. 实验室数据分析测试：在此阶段，DUT通过ATE进行深度特性分析，例如频率响应、噪声特性等。 测试工程师通过精确控制和调节测试参数，来获得芯片的理想特性数据。 老化测试：用于模拟DUT在长期 …

对测试机进行编写程序，从而使得测试机产生任何类型的信号，多个信号一起组成测试模式或测试向量，在时间轴的某一点上向dut施加一个测试向量，将dut产生的输出反馈输入测试机的仪器中测量其参数，把测量结果与存储在测试机中的“编程值”进行比较 ...

驱动器件（Driver）必须与被测器件（DUT）的规格一致，用以控制电感的极性及测试电流I S 的大小。而外接栅电阻及栅驱动电压则用以调节电压及电流的上升及下降速率。

2023年1月26日 · MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。

实际上是在交流频率下进行的，因此待测器件（DUT）的 电容可以根据下列公式计算得到： CDUT = IDUT / 2πfVac，其中 IDUT是流过DUT的交流电流幅值， f是测试频率， Vac是测得的交流电压的幅值和相角。 换而言之，这种测试通过加载交流电压然后测量产

2024年2月22日 · 本文介绍了一个特定的雪崩功率函数，它构成了功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础。 MOSFET数据表通常在同义术语“UIS”或“UIL”下指定雪崩额定值，“UIS”和“UIL”分别指“非钳位电感开关”和“非钳位电感负载”。 也就是说，当驱动未钳位负载的MOSFET关断时，功率MOSFET雪崩额定值适用于由此产生的Vds和Id（这些术语假定为n沟道MOSFET，否则Vsd和Is适用于p沟道 MOSFET）波形。 图2显示了基础电路，图3显示了器件波形。 接着，我们继续假 …