LOD效应：由于STI到多晶硅栅poly的距离也就是器件有源区长度的不同，应力对器件的影响也不同，因此叫做扩散区长度效应，如下图，有源区OD的长度越大，STI对器件的应力影响越小。

2019年6月17日 · LOD效应：(Length Of Diffusion)扩散区长度效应，是指STI(浅沟槽隔离)到多晶硅栅poly(器件有源区)的距离不同，导致应力对器件的影响也不同，进而影响MOS管的阈值电压等参数。

STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。

LOD效应：(Length Of Diffusion)扩散区长度效应，是指STI(浅沟槽隔离)到多晶硅栅poly(器件有源区)的距离不同，导致应力对器件的影响也不同，进而影响MOS管的阈值电压等参数。

STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是 浅槽隔离压力效应。 在版图中通常为LOD {length of diffusion} 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。 浅槽隔离利用高度各向异性反应离子刻蚀在表面切出了一个几乎垂直的凹槽。 该凹槽的侧壁被氧化，然后淀积多晶硅填满凹槽的剩余部分。 WPE的概念： 在离子注入制造工艺时，原子从掩模板的边沿开始扩散，在阱边附近的地方硅 …

2024年8月5日 · STI的概念. STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。

2020年2月18日 · 前者与STI的宽度有关，称为 OD Space Effect(OSE) ，后者与STI到Poly的距离也就是扩散区Diffusion/OD的长度有关，称为 Length of Diffusion(LOD) Effect 。如下图所示： 在65nm之前的工艺制程中，OSE的影响并不明显，所以STI stress effect单纯指LOD effect。

2019年4月14日 · LOD ( Length Of Diffusion) Effect， 也稱為 STI stress effect，顧名思義，就是在有源區外的 STI 隔離會對其帶來應力作用（如下圖中所示），從而影響電晶體的遷移率和閾值電壓，因而導致不同的有源區的長度（SA+L+SB）的 MOSFET 的電學特性存在差異。

2020年1月19日 · STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。

LOD ( Length Of Diffusion) Effect， 也称为 STI stress effect，顾名思义，就是在有源区外的 STI 隔离会对其带来应力作用（如下图中所示），从而影响晶体管的迁移率和阈值电压，因而导致不同的有源区的长度（SA+L+SB）的 MOSFET 的电学特性存在差异。