碳纳米管是晶形碳的一种同位素异形体，从结构上为蜂巢状的一维纳米空心管，其中 C-C 原子以 sp2杂化构成共价键。 根据碳纳米管的管壁数，可分为单壁碳纳米管（SWCNT）和多壁碳纳米管（MWCNT），而根据碳纳米管的结构特征又可分为 扶手椅形 、 锯齿形 和 螺旋型 三种，其中螺旋型碳纳米管具有手性，而锯齿形和扶手椅型碳纳米管没有手性。 图1. 单壁碳纳米管和多壁碳纳米管的结构示意图. 碳纳米管重量轻，六边形结构连接完美，具有许多优异的力学性能、导电性 …

2024年12月25日 · 北京清华大学的博士生张一北在IEDM上描述了一个混合模拟和数字的堆叠计算系统，该系统底层是硅CMOS，顶部是模拟RRAM，最后是两层由碳纳米管电路供电的数字RRAM。 这种堆叠设计被称为“后端”方法，碳纳米管层可以构建在完整的硅CMOS上，使用低温技术，不会损坏底层芯片。 张的团队用这个系统实现了一个神经网络，他们预计它的能量消耗是传统芯片的1/17，工作速度是传统芯片的119倍。 台积电 执行副总裁兼联合首席运营官Yuh-Jier …

2024年3月3日 · 碳纳米管 （英语： Carbon Nanotube， 缩写 为 CNT）是在1991年1月由 日本 筑波 NEC 实验室的物理学家 饭岛澄男 使用高分辨 透射电子显微镜 从电弧法生产 碳纤维 的产物中发现的 [1]。 它是一种管状的碳分子，管上每个碳原子采取 sp 2 杂化，相互之间以碳-碳 σ键 结合起来，形成由六边形组成的蜂窝状结构作为碳纳米管的骨架。 每个碳原子上未参与杂化的一对p电子相互之间形成跨越整个碳纳米管的共轭π电子云。 按照管子的层数不同，分为单壁碳纳米管和 …

2024年4月15日 · 化学气相沉积（cvd）法有望满足cnt的大规模生产需求，然而其产物通常包含大量缺陷，因此为实现cnt的低缺陷可控制备，理解cvd过程中材料生长与缺陷形成的基本原理至关重要。

cnt水平阵列和薄膜都是电子应用的重要集合体。 为了提出CNT在下一代集成电路中潜在的杀手级应用，研究人员集中总结了基于水平阵列的器件，其中CNT起着不可替代的作用，主要包括：i）CNT基数字和射频电子器件；ii）从单个CNT到水平排列的CNT阵列；iii）CNT材料 ...

2017年6月8日 · HACNTs是在平整基底上生长的平行排列的碳纳米管类型，能够遵循自由生产的模式，因此具有完美结构、超低缺陷程度、厘米级以上长度以及优异的理化性质，是透明显示、微电子、量子线、场发射晶体管、超强纤维、航空航天等领域的尖端基础材料。 实现HACNTs结构的可控制备及性能调控是近十几年来碳纳米管领域研究的热点和难点。 近日，清华大学魏飞教授 (通讯作者)等人应邀在Chem. Soc. Rev.上发表了题为“Horizontally aligned carbon nanotube arrays: …

2025年1月28日 · 碳纳米管，简称cnt，是由单层或多层石墨烯围绕中心轴卷曲而成的一维量子材料。 这一发现可追溯至1991年，由饭岛澄男首次揭晓。 其导电性受到长径比和碳纯度的影响，这两大指标共同决定了碳纳米管的产品性能。

2009年6月1日 · 我们开发了一种有效的算法和一种新的递归关系来计算碳纳米管的德拜函数。 这允许计算任意长度的 CNT 的 XRD 分布，时间与管长度成线性比例。 使用递归关系，我们进一步表明 XRD 峰强度与管长度成正比。 峰值强度与管长曲线的斜率和截距是 CNT 类型的特征。 这项工作将有助于为 CNT 创建一个数据库，类似于 3-D 晶体的 ICDD 数据。 还概述了从 XRD 数据推断管特性的方法。 我们开发了一种有效的算法和一种新的递归关系来计算碳纳米管的德拜函 …

2025年2月25日 · 天奈科技半导体级CNT验证已进入 商业化前夜 ，在 3nm 封装 、14nm 互连领域取得实质性突破，但设备自主化与成本控制仍是关键瓶颈。 若 2025 年 H1 通过 台积电/中芯国际最终认证，有望打开 200 亿元/年 增量市场，成为全球碳基半导体材料核心玩家。

北京清华大学的博士生张一北在IEDM上描述了一个混合模拟和数字的堆叠计算系统，该系统底层是硅CMOS，顶部是模拟 RRAM，最后是两层由碳纳米管电路供电的数字RRAM。 这种堆叠设计被称为“后端”方法，碳纳米管层可以构建在完整的硅CMOS上，使用低温技术，不会损坏底层芯片。 张的团队用这个系统实现了一个神经网络，他们预计它的能量消耗是传统芯片的1/17，工作速度是传统芯片的119倍。 台积电 执行副总裁兼联合首席运营官Yuh-Jier Mii在会议的主题演讲中表 …