-55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package.

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

下载IRF4905中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有场效应管 (MOSFET)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package. Unfortunately, your browser does not support embedded frames (iframes): You can view the embedded page here.

IRF4905PBF由Infineon (英飞凌)设计生产，立创商城现货销售。 IRF4905PBF价格参考￥2.3。 Infineon (英飞凌) IRF4905PBF参数名称：类型：1个P沟道；漏源电压 (Vdss)：55V；连续漏极电流 (Id)：74A；导通电阻 (RDS (on))：20mΩ@10V,38A；耗散功率 (Pd)：200W；栅极电荷量 (Qg)：180nC@10V；输入电容 (Ciss@Vds)：3.4nF；反向传输电容 (Crss)：640pF；工作温度：-55℃~+175℃。 下载IRF4905PBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有场效应管 …

International Rectifier公司的IRF4905PBF是一款-55V单P沟道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的单位面积导通电，额定动态dv/dt，耐用的快速开关以及全雪崩额定，功率MOSFET提供极高的效率和稳定性，用于多种应用. 立创商城IRF4905PBF型号页面提供型号详细中文资料，PDF数据手册在线查看和下载,中文参数，引脚图，代替型号和在线购买等信息。 买IRF4905PBF型号,上立创商城.

2024年4月20日 · 本文详细介绍了IRF4905这款MOSFET的特性，包括高耐压、高电流能力、低导通电阻、快速开关性能以及TO220封装，适用于电源转换和电机驱动应用。 摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 > 封装/外壳：TO220. 包装类型：管状. 水分含量：不适用. RDS （导通）最大值：20.0mΩ. 最大VDS：-55.0V. 最大内径：-52.0A. 包裹：TO-220. 最大温度：175.0°C. QG：120.0nC. 预算价格 €€/千：0.57. 最大压强：200.0W. 极性：P. …

In this article, we have discussed IRF4905, check its pinout, equivalent, practical applications, distinctive features, as well as instruction on when and where to employ this high-current P-channel MOSFET. Main Features: Maximum Rated voltage across Drain & Source → Vdss= -55V. Maximum operating current → Id = upto -74 Amps.

IRF4905PBF – P-Channel 55 V 74A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB from Infineon Technologies. Pricing and Availability on millions of electronic components from Digi-Key Electronics.