2022年6月16日 · 市场当前格外关注Intel 4工艺的推进情况。此前我们对这代工艺的实现细节是一无所知的，仅知Intel 4是Intel首个采用EUV的工艺、相比Intel 7能实现每瓦性能20%提升，以及Gelsinger宣布去年二季度Intel 4进入tape-in阶段。这次公开Intel 4的更多技术细节……

2022年6月11日 · 根据Intel的资料和Intel Roadmap的规划，Intel 4的主要特性是增加高性能场景下的密度、并且降低功耗。 Intel 4这回最大的亮点是其高性能库，相对于 Alder Lake 的Intel 7，提升了2倍的密度 。

2022年6月13日 · The development of the Intel 4 process represents a critical milestone for Intel, as it’s the first Intel process to incorporate EUV, and it’s the first process to move past their troubled ...

2023年10月3日 · 英特爾指出，近期採用極紫外光（EUV）技術的「Intel 4」製程問世（大約台積電5-7奈米之間），這也是歐洲首度於量產階段使用EUV。

2021年7月27日 · Intel今天宣布了全新的工艺路线图，一个最核心的变化就是改名：10nm Enhanced SuperFin改名为Intel7，7nm改名为Intel4，未来还有Intel3，以及全新晶体管架构的Intel20A、Intel18A。

Abstract: A new advanced CMOS FinFET technology, Intel 4, is introduced that extends Moore’s law by offering 2X area scaling of the high performance logic library and greater than 20% performance gain at iso-power over Intel 7. The scaled high-performance library offers 50nm gate pitch, 30nm fin pitch and 30nm minimum metal pitch.

2023年9月20日 · 新一代Meteor Lake处理器采用了Intel 4制程工艺，Intel 4利用了用极紫外光刻技术（EUV），重点在于优化能效；架构层面其首次增加了“低功耗岛能效核 ...

2022年6月14日 · Intel 4 即为以前的英特尔 7nm 工艺，是其第一次在芯片上采用 EUV 光刻技术。EUV 的使用保证了英特尔可以绘制出更先进制造节点所需的更小特征，同时使其通过多模式 DUV 技术减少制造步骤。 Intel 4 的研发对英特尔来说是一个关键节点，最终摆脱了 10nm 工艺。

2023年9月19日 · 在去年的IEEE VLSI研讨会上，Intel就明确过Intel 4的HP高性能单元库面积缩减2倍，或者说晶体管密度相较Intel 7提升2倍。 上面这张图给出了Intel 7和Intel 4高性能库的尺寸，以及关键参数——包括fin pitch、金属层M0间距、contacted poly pitch等。

在英特尔最新公布的路线图中，最引人注目的是工艺节点的命名更新，不再采用 10nm、7nm 的命名规则，而是称之为 Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 18A 和 Intel 20A。