
芯片制造的核心工艺:一文看懂薄膜沉积 - 知乎
hdp-cvd(高密度等离子cvd)是pecvd的一种特殊形式,同时发生薄膜沉积和溅射,能够实现对沟槽和孔隙自下而上的填充,hdp-cvd沉积的薄膜致密度更高,杂质含量更低;
高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺 - 百度文库
在HDP CVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行绝缘介质的填充。 这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果,然而对于小于0.8微米的间隔,用PE CVD工艺一步填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的 ...
什么是 HDP-CVD 工艺?高密度等离子体化学气相沉积指南
高密度等离子体化学气相沉积 (HDP-CVD) 工艺是 CVD 的一种特殊形式,主要用于半导体制造,以沉积高均匀性和高密度的薄膜。 该工艺利用高密度等离子体来增强薄膜沉积所需的化学反应。 HDP-CVD 工艺包括准备半导体衬底,将其放置在工艺室中,并产生高密度等离子体。 等离子体是通过注入氧气和硅源气体产生的,它们反应形成氧化硅层。 将基材加热至高温(550°C 至 700°C)以促进反应。 还引入辅助气体和主要气体,例如氦气,以优化沉积过程。 该方法对 …
多种常见CVD技术介绍:LPCVD、PECVD与HDP-CVD的原理、特 …
HDP-CVD,即高密度等离子体化学气相沉积,是PECVD技术的一种特殊变体。 它能够在较低的沉积温度下,实现比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。 此外,HDP-CVD还提供了近乎独立的离子通量和能量控制,从而增强了沟槽或孔的填充能力。 这使得它成为高要求薄膜沉积应用,例如抗反射涂层和低介电常数材料沉积等的理想选择。 范围为室温至300°C,温度相对较低。 气压控制在1至100 mTorr之间,相较于PECVD更为宽松,有助于进一步提升薄膜品质。 得益于 …
HDPCVD - Plasma-Therm
High-density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) is a special form of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) that uses an inductively coupled plasma (ICP) source that provides a higher plasma density than a standard parallel-plate PECVD system.
高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 工艺 - 百度文库
在 hdp cvd 反应腔中,主要是由 电感耦合等离子体反应器(icp)来产生并维持高密度的等离子体。 当射频电流通过线圈 (coil)时会产生一个交流磁场,这个交流磁场经由感应耦合即产生随时间变化的电场,如 图 6 所示。
高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)的原理及其优缺点 - 与 …
2024年8月16日 · 高密度 等离子体 化学气相沉积(HDPCVD)是一种重要的薄膜沉积技术,广泛应用于 半导体 、光电子、 显示器 件等领域。 该技术通过产生高能量和高密度的等离子体来实现对 基板 表面的薄膜沉积。 HDPCVD是一种化学气相沉积(CVD)技术的变种,通过高频 射频 或微波等激励源在气体中产生高密度的等离子体,使沉积物质离子化并沉积在基片表面形成薄膜。 在HDPCVD过程中,当气体被加热至等离子体状态时,分子会解离成原子和离子,并具有较高 …
PlasmaTherm Versaline HDP CVD System (hdpcvd) | Stanford ...
High Density Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HD PECVD) is an alternative to the conventional methods of the deposition of silicon dioxide, silicon nitride and amorphous silicon using PECVD. The advantage of HD PECVD over PECVD is the ability to produce higher quality films at lower temperatures, less than 150C.
An Introduction to HDPCVD - Plasma-Therm
2020年10月28日 · With HDPCVD the < 200°C temperature deposition range is opened up along with some new capabilities. What is HDPCVD? HDPCVD uses an inductively coupled plasma to generate a significantly higher plasma density than that derived from more conventional parallel plate PECVD configurations.
In this paper, we present and review recent developments in the high-density plasma chemical vapor deposition (HDP CVD) of silicon-based dielectric films, and of films of recent interest in the development of lower-dielectric-constant alternatives.