2025年1月13日 · 通过引入一个表现良好的正则化相对 GAN （RpGAN）损失函数，解决了模式崩溃和非收敛问题，从而避免了使用一系列专门的技巧。 该损失函数具有数学上证明的局部收 …

2025年1月13日 · 提出了一种新的损失函数，通过结合 相对论配对gan损失 （rpgan）与 零中心梯度惩罚 ，实现了gan的训练稳定性和多样性。 在新损失函数的基础上，作者开发了一种无需 …

2025年1月11日 · gan（氮化镓）hemt（高电子迁移率晶体管）器件是一种应用在高频、高功率的电子器件。在这些器件的研发和应用过程中，可靠性测试和寿命模型的构建是不可或缺的一部 …

这篇论文提出了一种新的生成对抗网络（GAN）基线模型R3GAN，通过改进损失函数和网络架构，提高了GAN的训练稳定性和性能，在多个数据集上取得了不错的效果。论文也公布了github …

GaN半导体材料具有较高的迁移率、饱和电子速度和击穿电压，其禁带宽度较大，化学稳定性较好，能与SiO2等绝缘体形成良好的欧姆接触。 此外，这类材料还具有良好的光学性质，其折射 …

氮化镓 （GaN 、Gallium nitride）是 氮 和 镓 的 化合物，是一种 III族 和 V族 的 直接能隙 （direct bandgap）的 半导体，自1990年起常用在 发光二极体 中。 此化合物结构类似 纤锌矿，硬度 …

2024年10月20日 · 生成对抗网络（GAN，Generative Adversarial Network）是一种深度学习模型，由Ian Goodfellow等人在2014年提出。GAN的核心思想是通过训练两个神经网络——生成 …

2023年12月29日 · StarGAN是一种基于生成对抗网络（GAN）的图像转换模型，它可以将输入图像转换为多种不同的输出风格。例如，给定一张人脸照片，StarGAN可以将其转换为不同年龄 …

2023年12月20日 · 针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，助力于充分发挥GaN器件的性能优势。

2023年2月18日 · GANs本质上属于机器学习中的生成模型系列，与其他生成模型（如变分自动编码器）相比，GANs能够有效地生成所需要的样本，消除确定性偏差，并且与内部神经网络结构 …