GAA 全称 Gate-All-Around ，是一种环绕式栅极技术晶体管，也叫做 GAAFET。 它的概念的提出也很早，比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。

In this study, we have fabricated n-type lateral SiC JFETs with gate-all-around (GAA) structures to maximize their transconductance coefficients. The GAA structure was formed by high-energy Al ion implantation for the bottom layer and tilted one just after SiC gate etching for the side layers on the n-epitaxial layer of 4H-SiC.

2020年9月29日 · 正是基于这一原因， 全环绕栅极晶体管 （Gate-All-Around FET）被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的 三星晶圆制造论坛 （Samsung Foundry Forum）上，三星明确表示将会在3纳米节点放弃鳍式结构，转向全环绕栅极技术。 在刚刚过去的 台积电第26届技术研讨会 上，台积电也正式宣布将在2纳米节点引入全环绕栅极技术。 目前英特尔仍然受困于7纳米技术难产，尚未给出具体的计划何时引入全环绕栅极技术。 但英特尔的首席技术官麦克迈克· …

2022年3月24日 · 三星宣传中的GAA结构晶体管叫做MBCFET，multi-bridge channel FET。此前三星曾表示：“MBCFET技术是进入生产和量产的卓越进步。实现了出色的器件特性。我们用一颗256Mb SRAM测试芯片和一颗逻辑测试芯片，来推动3nm工艺生产的准备工作。

GAA-FET，即环绕式栅极 (gate-all-around)场效晶体管(FET)，该技术透过降低供电电压以及增加驱动电流能力以提升性能，从而突破FinFET的性能限制。 简言之， GAA技术 让晶体管得以承载更多电流，同时晶体管尺寸保持相对较小。

2023年10月22日 · 正是基于这一原因，全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET）被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的三星晶圆制造论坛（Samsung Foundry Forum）上，三星明确表示将会在3纳米节点放弃鳍式结构，转向全环绕栅极技术。 在刚刚过去的台积电第26届技术研讨会上，台积电也正式宣布将在2纳米节点引入全环绕栅极技术。 目前英特尔仍然受困于7纳米技术难产，尚未给出具体的计划何时引入全环绕栅极技术。 但英特尔的首席技术官麦克迈克· 梅 …

2025年2月24日 · 通过开发原位纳米线沟道悬空释放技术，并结合优化的源漏金属接触工艺，团队首次实现了基于可定位催化生长制备的硅纳米线高性能GAA-FET器件。 该器件展现出卓越的性能：开关比高达10^7，亚阈值摆幅低至66 mV/dec，性能媲美采用电子束光刻（EBL）和极紫外光刻（EUV）制备的先进GAA-FETs，突破了传统催化生长纳米线器件的性能瓶颈。 图1...

2022年1月4日 · 三星押注环绕闸极（GAA）架构，宣称在GAA研发进度领先台积电；台积电则延续先前采用的鳍式场效电晶体（FinFET）架构，最快2纳米才评估导入GAA架构。 对于三星发展先进制程态度积极，台积电一向不回应竞争对手动态。 业界认为，台积电2022年3纳米量产计划仍顺利，有信心更获得客户支持，也是在客户的选择之下，维持3纳米FinFET架构设计，非常具有优势。 台积电业务开发副总张晓强日前在技术论坛上透露，台积电认为继续采用FinFET架构开发3纳 …

英特尔计划在Intel 20A工艺时全面放弃FinFET晶体管技术，改用最新的RibbonFET晶体管（ GAA的英特尔实现方式 ）。三星和台积电也将在3nm工艺之后的节点上引入这种名为GAA的晶体管技术。那么，GAA到底是个啥？ RibbonFET是GAA晶体管的英特尔技术实现. 晶体管技术的迭代历史

Abstract: Gate-all-around (GAA) is a promising MOSFET structure to continue scaling down the size of CMOS devices beyond 7 nm technology node. This paper gives an overview of different types of GAAFETs including lateral and vertical channel orientations, and nanowire (NW) and nanosheet (NSH) channel structures.