
Epitaxial wafer - Wikipedia
An epitaxial wafer[1] (also called epi wafer, [2] epi-wafer, [3] or epiwafer[4]) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, microelectronics, spintronics, or photovoltaics.
磊晶圆(epi-wafer)是什么意思?与一般说的wafer有什么区别?_ …
外延 (Epitaxy, 简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料,外延层可以是同质外延层 (Si/Si),也可以是异质外延层 (SiGe.
EPIEL :: Epi Wafers for Electronics
2017年5月22日 · Epiel offers a diverse product selection of tailor-made silicon epitaxial wafers in a wide range of specifications from 3” (76mm) to 8” (200mm) size for some of the most essential microelectronics applications: Discrete Power Devices, Integrated Circuits, Sensors etc.
氮化鎵磊晶片GaN Epi Wafer – 鴻鎵科技股份有限公司
GaN EPI Wafer是一種新型的半導體材料,由於其獨特的物理特性,被廣泛應用於高功率、高頻率和高溫度等應用領域。 與傳統的半導體材料相比,GaN EPI Wafer具有更高的電子遷移率、較小的電阻和較高的熱穩定性,從而可以實現更高效的能源轉換和更可靠的性能。 我們作為一家專注於半導體技術創新的公司,一直在關注新技術的發展和應用,並投入資源進行研發和創新。 我們的GaN EPI Wafer產品已經成功應用於多個高端應用領域,如激光雷達、5G基站和高功率電源等領域。 …
Epitaxial Wafer - Silicon Materials Inc.
An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, microelectronics or photovoltaics. The epi layer may be the same material as the substrate, typically monocrystaline silicon, or it may be a more exotic material with specific ...
原磊科普丨半导体制造中的外延(Epi)工艺_南京原磊纳米材料有 …
2024年5月23日 · 半导体制造中的外延 (epi)工艺旨在在单晶衬底上沉积一层精细的单晶层,通常约为0.5至20微米。 外延工艺是半导体器件制造中的一个重要步骤,尤其是在硅片制造中。 【概要描述】 在完美的晶体基础层上构建集成电路或半导体器件是理想的选择。 半导体制造中的外延 (epi)工艺旨在在单晶衬底上沉积一层精细的单晶层,通常约为0.5至20微米。 外延工艺是半导体器件制造中的一个重要步骤,尤其是在硅片制造中。 外延工艺允许在相同材料的衬底上生长更 …
EpiWafer“一跃”成为TOPCon、HJT最佳材料! - 搜狐
2022年4月8日 · Epiwafer翻译成中文就是“硅外延片”。 自上世纪50年代末,硅外延片便成功地应用于制造高频大功率晶体管,为了满足各种半导体器件的需要,相应地也产生了各样的硅外延技术。
(epi-wafer)是什么意思?与一般的wafer有什么区别_百度知道
(epi-wafer)是什么意思? 与一般的wafer有什么区别晶圆是就是WAFER,就是基材.外延片,是在WAFER基础上做的EPI工艺.这样出来的WAFER 就是EPI WAFER,也叫外延片.
芯片制造工艺问答013: 何谓Epi-Wafer? 对产品有何影响? - 芯知 …
Ans Epi_wafer: 在single crystal wafer上再dep一层single crystal SiImprove the performance of bipolar transistor, with high breakdown voltage of the collector-substrate junction and low collector resistance.
Epi wafers: preparation and properties - ScienceDirect
2020年1月1日 · Epi is used as etch stops for forming bonded etch-back silicon on insulator (BESOI) structures, to increase the Si thickness above the buried oxide (BOX) on silicon implanted with oxygen (SIMOX) SOI structures and as a means for building a combination monocrystalline/polycrystalline structure referred to as epi–poly.