对於故障分析而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。 其基本原理是可侦测非常微小的光放射,主要侦测IC内部所放出光子。 在IC 元件中,EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。 PEM 就是将显微镜(OM) 加上影像撷取系统,且能接收较大的波长范围 (500nm - 1500nm),他的光学系统是 PEM设备上决定其设备性能的关键 高的数值孔径(numerical aperture, NA): 长焦距镜头(high working distance, WD) …

emmi是一种极其灵敏的显微镜，其光谱能从可见光区延伸到红外光区，并能捕捉到微弱的荧光。 通过将捕捉到的荧光图片与芯片照片重合便能确定荧光产生的位置。

微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是利用高增益相机/探测器来检测由某些半导体器件缺陷/失效发出的微量光子的一种设备。 金鉴实验室凭借其先进的EMMI设备，能够精准捕捉半导体器件缺陷/失效发出的微量光子。

微光显微镜（EMMI）和光诱导电阻变化（OBIRCH）常见集成在一个检测系统，合称PEM（Photo Emission Microscope），两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式，比如检测细微漏电，快速失效定位。

Photoemission or light emission microscopy, e.g., Hot Spot Inspection, is an advanced failure analysis technique for detecting photonic radiation from a defective site due to excessive heat generated at the defective site. The emission light is not visible to the naked eye.

在半导体故障失效分析的过程中，光发射显微镜（emmi）是一种关键的故障点定位工具。 这种设备通过检测电子-空穴复合和热载流子释放的光子，帮助识别半导体元件中的缺陷。

EMMI (Emission Microscopy)是用来做故障点定位、寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具。 其具备高灵敏度的制冷式电荷(光)耦合组件(C-CCD)侦测器，可侦测组件中电子－电洞再结合时所发射出来的光子，其光波长在 350 nm ~ 1100 nm，此范围相当于可见光和红外光区。

2024年10月8日 · EMMI（Electro-Magnetic Induced Emission）是一种光致发光显微镜技术，主要用于检测半导体器件中的电气异常。 EMMI基于这样一个原理：当 电流 通过半导体器件中的某些故障点时，这些点会发射出与正常运行状态不同的光。

光束诱导电阻变化 (OBIRCH)功能与光发射 (EMMI)常见集成在一个检测系统，合称PEM (Photo Emission Microscope)，两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。 会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型 …

在IC故障分析的流程中，EMMI (又叫做PEM, Photon Emission Microscope)是非常基本且常用的故障点定位工具，传统的EMMI是采用冷却式电荷耦合元件 (C-CCD)来侦测光子，其侦测波长范围介于400nm到1100nm间，此波长相当于可见光和红外光。 当半导体元件有过多的电子-电洞对产生，会因电子-电洞的结合而产生光子，或者元件的热载子释放出多余的动能，会以光子的型式呈现，此两种机制所产生的光子可被EMMI 侦测到，所以举凡接面漏电、氧化层崩溃、静电放电破 …