
TLP测试标准和方法 - 知乎 - 知乎专栏
2021年7月13日 · 目前tlp测试已经成为esd防护设计中必不可少的手段。 TLP测试系统的组成原理图如图1所示,由脉冲源、衰减器、测试装置和测试器件(DUT)四部分组成。
ESD测试: TLP测试的优势及与HBM, IEC61000-4-2的异同 - 知乎
我们可以对系统主芯片进行TLP测试,如此一来即可测得主芯片在ESD能量下的箝制电压,藉此我们就能与TVS的TLP图形来对应。 针对主芯片的箝制电压来挑选箝制电压更低的TVS。 这能帮助许多产品研发工程师在产品设计时间减少Try and Error的花费以及调整设计的时间成本。 这也是近期众多品牌厂纷纷导入TLP测试方式,来针对自家产品做ESD验证的原因。 可以发现主芯片在ESD 3.1A能量下的箝制电压为11.1V,因此我们应挑选箝制电压更低之TVS。 由此图形可看出: 在 …
芯片IC测试专栏—ESD与TLP - CSDN博客
TLP(Threshold Leak ...通过TLP等测试,工程师可以更准确地评估和优化ESD防护器件的设计,以保护电子设备免受潜在的静电损害。 ESD 模型 与 测试 标准详解:从HBM到 TLP
测试解读 | ESD保护设计中的传输线脉冲TLP,怎么测? - 知乎
TLP(Transmission Line Pulse)测试 又称为传输线脉冲测试,是于对静电防护半导体器件进行描述的一种常用方法。 1985年由Maloney等人就提出的ESD模拟方法,与传统的 HBM 、 MM 、 CDM 、 IEC模型 不同,传输线脉冲发生器发出的是 静电模拟方波 ,而传统模式发出的则是 RC ...
浅谈ESD/Latch-up测试报告与TLP报告的解读 - u12u34的日志
2022年12月1日 · TLP(Transmission Line Pulse)传输线脉冲发生器,这是目前分析ESD最重要的仪器手段之一。 MK2测试仪只能反馈通过与否,是一个静态的测试过程。 而TLP能实时反应芯片的I-V曲线,是一个动态的测试过程。 TLP不仅能模拟HBM波形也能模拟CDM和MM波形,同时也能连接浪涌发生器。 图六.TLP仪器照片。 (图源网络) 图六中可以看出TLP配备有脉冲发生器,探针台,真空泵,示波器等设备。
TLP, TLP and long pulse TLP. ESD APPLICATIONS OF TLP The most common application of TLP is the characterization of devices to see how they behave during standard ESD stresses, like HBM. A typical example is the 100 ns TLP characterization of a grounded-gate NMOST (ggNMOST), one of the workhorses in the field of ESD protections.
ESD測試: TLP測試的優勢及與HBM, IEC61000-4-2的異同
2020年8月10日 · 對系統產品而言,iec61000-4-2的esd gun測試能很快得知其esd耐受程度,而做tlp測試則能幫助我們深入找出失效點的電壓。 我們可以對系統主晶片進行TLP測試,如此一來即可測得主晶片在ESD能量下的箝制電壓,藉此我們就能與TVS的TLP圖形來對應。
简单了解ESD模型与TLP曲线 - CSDN博客
2024年6月23日 · 本文主要介绍了ESD模型及相关的测试内容,包括HBM、MM、CDM、FIM等模型,并提到了TLP测试和拴锁测试等方法。 ESD(Electrostatic Discharge,静电放电)是电子设备在生产、运输、使用过程中可能遇到的一种现象,它...
TLP is an abbreviation of Transmission Line Pulse method of generating a test pulse. It is produced by discharging a charged transmission line to produce a flat top pulse. The Transmission Line Pulse test waveform is compared with the HBM test pulse as shown in figure 2.
ESD保护设计中的传输线脉冲TLP,怎么测?-EDN 电子技术设计
2024年3月26日 · 利用传输线产生的矩形短脉冲来测量ESD保护元件的电流-电压特性曲线的方法,通过将悬空电缆充电至预定电压并将其放电至被测器件(DUT)来生成方波。 通过改变电缆长度和滤波器特性,很容易改变脉冲宽度和上升时间。 充电电压源(VHV)提供额定能量,给传输线(TL)充电,产生一个窄方波(75ns~200ns)当开关S闭合时,被测器件(DUT)接入传输线路,产生的窄方波被作用到DUT的保护结构上。 通过示波器获取的测量值,再根据运算得 …
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