The dram (alternative British spelling drachm; apothecary symbol ʒ or ℨ; [a] abbreviated dr) [4] [5]: C-6–C-7 [6] is a unit of mass in the avoirdupois system, and both a unit of mass and a unit of volume in the apothecaries' system. [5] It was originally both a …

dram, unit of weight in the apothecaries’ and avoirdupois systems. An apothecaries’ dram contains 3 scruples (3.888 grams) of 20 grains each and is equal to one-eighth apothecaries’ ounce of 480 grains. The avoirdupois dram contains 27.344 grains (1.772 grams) and is equal to one-sixteenth avoirdupois ounce of 437 1 / 2 grains.

本文接下来会从问题出发，主要探讨 DRAM 的应用（用作内存）、基本结构（晶体管+电容）、读写原理（重点）、系统层次（ bank、chip、rank、内存条和 DDR ）和 CPU 访问 DRAM 时的加速方法（猝发和交错，也是重点），有助于解开初学者的一些疑惑。

2022年12月6日 · 动态随机存取存储器（dram）是计算机系统中常见的内存类型，因其较高的密度和较低的成本而广泛使用。总之，dram 是现代计算机系统中不可或缺的组件。了解其工作原理、各种类型和特性对于充分利用其潜力非常重要。

2023年7月24日 · 3D DRAM 是将存储单元（Cell）堆叠至逻辑单元上方以实现在单位晶圆面积上产出上更多的产量，相较于普通的平面DRAM，3D DRAM可以有效降低 DRAM的单位成本。 三、制程发展趋势. DRAM当前处于10nm阶段，1Znm为最新量产技术。

DRAM is a common type of random access memory (RAM) that is used in PCs, workstations and servers. Random access allows the PC processor to access any part of the memory directly rather than having to proceed sequentially from a starting place.

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。 由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。 因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。 由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。 相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新 …

2023年10月14日 · 现在常见的内存条，一般是 DDR，全称是 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access。 Synchronous 指的是 同步时钟，最初的 DRAM 是异步传输数据的，只根据控制信号进行操作，本身的操作速度不确定，这可能造成一些性能或可靠性的限制，因此，SDRAM 与系统 时钟同步，在全局的节拍下，与内存控制器可以更好的协调工作的同时，也保证了数据的正确性。 内存的频率参数，就是指的 时钟频率，当然，你也可以选择对内存进行超 …

2019年11月20日 · DRAM 在设计上，将所有的 Cells 以特定的方式组成一个 Memory Array。 本小节将介绍 DRAM 中是如何将 Cells 以 特定形式的 Memory Array 组织起来的。 首先，我们在不考虑形式的情况下，最简单的组织方式，就是在一个 Bitline 上，挂接更多的 Cells，如下图所示：

2023年11月5日 · DRAM，全称为 Dynamic Random Access Memory ，中文名是“ 动态随机存取存储器 ”。 所谓“动态”是和“静态”相对应的，芯片世界里还有一种 SRAM 静态随机存取存储器的存在。 笼统地说，DRAM 的结构比 SRAM 更简单，面积占用更小，适合制作大容量的 存储芯片；而 SRAM 结构复杂一些，一般使用六个晶体管，面积消耗大，但是读写速度快，而且因为 SRAM 只用到晶体管，所以在工艺上和逻辑芯片相兼容，我们可以在逻辑芯片上直接集成 SRAM 。 因 …