2021年10月20日 · 1x-nm制程相当于16~19nm；1y-nm制程相当于14~16nm；1z-nm制程相当于12~14nm。 而在早前，美光发布了其最新的1α DRAM 制程技术，这代表着业界DRAM技术的最高水平。 对于美光上一代1z DRAM 制程，1α 技术将内存密度提升了 40%。 采用该制程技术的LPDDR5产品将在实现更高性能同时达到更好的功耗表现，为一共行业提供15%节能的DRAM平台，帮助5G手机实现更长续航表现。 1α 工艺制程提供了从8Gb～16Gb的密度，DDR4 …

2021年5月13日 · 之前有业内人士分析，1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。 而1αnm可能是14-12nm，而1βnm则是指12-10nm …

2019年10月23日 · 大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。 而通过美光的DRAM技术路线图显示，美光将继续扩展多个10纳米级节点，除了已经投产的第一代10纳米（1X）和第二代10纳米（1Y），目前开始量产第三代10纳米（1Z），首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。 接着，美光还将扩展三个10纳米级别节点：1 α，1 β和1 γ（注意，是希腊字母） 目前，美光公司正在加大其用于 …

sk海力士于今年10月宣布，已成功开发出采用1z-nm 制程工艺的ddr4 dram，该ddr4 dram在单个芯片上实现16gb，并将于2020年开始规模量产。 SK海力士表示，与上一代制程工艺产品（1y-nm）相比，1z-nm产品将使DRAM生产率提高约27％。

Samsung’s development of the 1z-nm DRAM paves the way for an accelerated global IT transition to next-generation DRAM interfaces such as DDR5, LPDDR5 and GDDR6 that will power a wave of future digital innovation.

2019年10月10日 · 现在是2019年的下半年，最先进的DRAM正在由1X（18nm）向1Y（17nm）推进。而且，预计在2019年末量产1Z（16nm）。也就是说，DRAM是1nm1nm地实现微缩，为什么DRAM厂家执着于这“1nm的微缩”呢？

2021年2月19日 · 半导体分析机构TechInsights拆解了分别采用EUV光刻技术和ArF-i光刻技术的三星1z-nm工艺DRAM，它认为该技术提升了三星的生产效率，并减小了DRAM的核心 ...

2021年3月3日 · 近日，三星发布了分别采用氟化氩浸润式微影(ArF-i)工艺与EUV微影技术的D1z DRAM，TechInsights的拆解分析有一些“新发现”，并确认了该技术的一些细节。 EET首页 > 新闻趋势 > 正文

2019年8月29日 · 与上一代1y纳米节点相比，美光的1z纳米16gb ddr4产品显著提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。同时，它也促进美光持续改善其运算dram（ddr4）、行动dram（lpddr4）和图形dram（gddr6）产品系列的相对效能和功耗。

2021年10月15日 · 1x-nm制程相当于16~19nm； 1y-nm制程相当于14~16nm； 1z-nm制程相当于12~14nm。 而在早前， 美光发布了其最新的1α DRAM 制程技术，这代表着业界DRAM技术的最高水平。