2011年6月8日 · A deep trench isolation (DTI) process with a 4 mum deep trench has been developed and successfully applied to 5-megapixel complementary metal oxide silicon (CMOS) image sensors with...

现在主流的CIS wafer都是在用 高阻epi wafer ，器件制备在高阻epi层（阻值量级为10 Ohm-cm），epi的厚度大概在6um左右（vendor一般会有几个常见厚度供选择，如果要定制厚度，发货周期可能会稍微长一点），而Substrate的阻值会低一点，大概0.05 Ohm-cm这种量级。

2023年2月10日 · S5K4H5YB成像仪引入的主要新功能是用于像素隔离的全深度F-DTI和垂直传输栅（VTG）。 图1是像素阵列中S5K4H5YB CIS的SEM横截面图像，上面注有几个深度的全深度F-DTI的宽度。 F-DTI可能内衬氧化物，并填充有未掺杂的多晶硅。 其平均宽度为0.19µm，深度为3.0µm，纵横比为15.8。 S5K2P2XX成像仪是一个16 MP、1.12μm像素间距的BI CIS，采用65 nm成像仪工艺制造。 它在相邻的像素之间使用了部分背部DTI（B-DTI）隔离，以及平面传输 …

Backside deep trench isolation (B-DTI) technology for crosstalk reduction has been widely adopted in CIS production. The filling status and film stack are important for the thermal process. No crack or bubble is acceptable. As the DTI depth increase, the filling and thermal stability become difficult to control.

早在2014 ISSCC上，Samsung的1.12um pixel就已经确立了VTG+F-DTI的基本架构，VTG是指vertical transfer gate ，F-DTI是指front full DTI。 Samsung将这种架构取名ISOCELL，它现在的大部分手机CIS产品都是基于该结构以及它的衍生版本。

2018年11月29日 · 在Gen2技术中，BS-DTI和BCFA扩展到更远地改进CIS光学性能。 图2比较了Gen1和Gen2 BSI叠层。BS-DTI更深，用一个更窄的宽度，允许为一个增加在硅宽度没有降解像素到像素交叉或电开花。增加硅厚度并且收窄BS-DTI宽度增加光收集量。在Gen2, 背边金属网格被放置用一个新的金属-氧化设计。 更小网格宽度和光导管特性关于CMG辅助在光收集（Ref.2）. 门氧化和面钝化被改进在Gne2传感器技术为改进的源花噪声。 结果. 图3a 对比量子效率和角度响 …

We developed a dual pixel with accurate and all-directional auto focus (AF) performance in CMOS image sensor (CIS). The optimized in-pixel deep trench isolation (DTI) provided accurate AF data and good image quality in the entire image area and over whole visible wavelength range.

2020年7月6日 · 传感器，包括cmos图像传感器（cis）和微机电系统（mems） 用于发送和接收无线信号的射频（RF）电路 电力电子设备，采用 MOSFET ,绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）等设备以及采用双极CMOS-DMOS（BCD）技术制成的设备制造

Deep trench isolation is a technology that was introduced a few years ago into the CMOS image sen-sor world. Although the technology of introducing deep trenching seems not straight forward, the ad-vantages are enormous. Moreover, recently more and more applications are developed that would not have been possible without the DTI's.

深沟槽隔离(dti)结构通常布置在cis的邻近的像素之间以隔离相邻的像素。 通过使用蚀刻工艺在半导体衬底内形成深沟槽，然后填充绝缘材料，以形成这些DTI结构。