2024年11月21日 · 在2.5D封装中，在中介层（SI Interposer）的硅通孔（TSV）工艺技术用于芯片到基板的电气连接，细线条布线中介转接层针对的是FPGA、CPU等高性能的应用，其特征是正面有多层细节距再布线层和细节距微凸点，主流硅通孔（TSV）工艺技术深宽比达到10:1，厚度约 …

2024年10月14日 · TSV实现了芯片间的垂直互连，由于垂直互连线的距离最短、强度较高，更易实现小型化、高密度、高性能、多功能化异质结构的封装，与此同时还可互连异种材质的芯片；目前采用TSV工艺微电子制造技术有两种：三维电路封装(3D IC integration)和三维硅封装(3D Si ...

在TSV 硅转接板上4颗高带宽存储器显存（High Bandwidth Memory，HBM）依靠在台积电的28nm工艺节点制造的GPU芯片两侧，TSV硅转接基板采用UMC的65nm工艺，尺寸28mm×35mm。 HBM是一种封装存储器，可通过同一封装内的硅中介层与SoC集成在一起。 通过这种方法，便可以克服传统片外封装存在的数据I/O封装引脚限制的最大数量。 DRAM通过堆叠的方式，叠在一起，Die之间用TVS方式连接；DRAM下面是DRAM逻辑控制单元，对DRAM进 …

2023年3月21日 · TSV (Through Silicon Via)中文为硅通孔技术。 它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。 （a） TSV封装(a)与叠层封装(b)对比图(图片来源：芯语) 2.TSV技术的优势. 高密度集成：通过先进封装，可以大幅度地提高电子元器件集成度，减小封装的几何尺寸和封装重量。 克服现有的2D …

TSV，是英文Through-Silicon Via的缩写，即是穿过硅基板的垂直电互连。 如果说 Wire bonding （引线键合）和 Flip-Chip （倒装焊）的Bumping（凸点）提供了芯片对外部的电互连， RDL (再布线)提供了芯片内部水平方向的电互连，那么TSV则提供了硅片内部垂直方向的电互连。

2023年5月5日 · TSV 可以替代引線鍵合和倒裝焊技術。 TSV 用於2.5 d和3 d封裝，用於電連接。 根據 TSV 被製作的時間順序有3種類型的 TSV，分別指在晶圓製作工藝中的前，中或後段。 第一個在晶圓製作工藝前段，意味著TSV在FEOL段前加工而成。 因此工藝流程為： TSV 刻蝕-> TSV 填充->FEOL->BEOL->Thinning+後道晶圓切割處理。 第二種是在晶圓加工的中段生成 TSV，工藝流程為：FEOL-> TSV 刻蝕-> TSV 填充->BEOL->Thinning+後道晶圓切割處理。 第二種在晶 …

2024年4月27日 · tsv技术则是在硅晶圆上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，实现芯片内部不同层面之间的电气连接。 这种技术能够显著提高芯片内部的互连密度，降低信号传输延迟，提高系统的整体性能。

2022年12月22日 · 硅通孔技术（tsv）是指在晶圆片上打孔，在孔中填充导电材料实现芯片之间、芯片与外部之间互联的技术，被认为是目前半导体行业最先进的技术之一。

TSV(Through-Silicon Via)矽穿孔，是一種通過矽晶片的垂直通孔，將多個晶片層進行堆疊和連接的技術，主要應用於3D IC和3D封裝，有助於提高晶片性能和節省空間。

tsv 技术通过在芯片与芯片、晶圆与晶圆之间制作垂直通孔，实现芯片之间的直接互连。 它能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片间的互连线最短、外形尺寸最小，显著提高芯片速度，降低芯片功耗，因此成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。