In semiconductor manufacturing, the "7 nm" process is a term for the MOSFET technology node following the "10 nm" node, defined by the International Roadmap for Devices and Systems (IRDS), which was preceded by the International Technology Roadmap for …

第一個問世量產的7nm晶片是台積電製造的Apple A12 Bionic，用於2018年末推出的iPhone XS和iPhone XR 智慧型手機 [6] 。 2019年末發表的 Apple A13 Bionic使用 台積電 第二代7nm制程生產，用於 iPhone 11 及 iPhone 11 Pro 。

7nm CPU 对于上大学时学过半导体器件物理或者微电子相关专业的同学，马上会举手说，几nm 工艺制程指的是 MOS 晶体管 的源和漏的距离，也就是Gate Length;

Intel 7nm 包含Intel 4和Intel 3在内的两个工艺，对标台积电的N4和 N3B，也是Intel第一个正式采用 EUV光刻机 制造的工艺。 在接下来的介绍中，将并行使用Intel 4和Intel 3的材料，二者的基本技术规格是一致的，主要区别是Intel 4 仅有18金属层和240nm HP库的配置，而Intel 3则增加了更多金属层和HD库的配置，以及更强的性能。 对比以往工艺，Intel 7nm最显眼的就是首次采用EUV光刻，可以显著降低制造复杂度并提升良率。 一般情况下，在高精细度光刻场景下一个EUV层可 …

2025年1月31日 · AMD在Zen 2架构中引入了全新的7nm制程工艺，晶体管密度大幅提升，能效比显著优化。 同时，Zen 2采用ChipLet小芯片设计，将核心、I/O、缓存分别制造，灵活性更强，良品率更高。 得益于先进的7nm工艺和Zen 2架构，R5 3600在游戏、内容创作、编码解码等多线程任务中展现出色性能，以《荒野大镖客2》为例，1080p高特效下，R5 3600配合RTX 2060显卡可获得平均82fps的流畅表现。 R5 3600与i5-10400F. R5 3600性能对标i5-10400F，AMD锐 …

那么第二版大幅改良后的Zen2架构，又用上了7nm工艺，IPC更高，即便频率略低也能做到单线程性能不落后，超线程性能高不少；主流桌面提供了比Intel多一倍的16核心，HEDT、服务器平台提供了比Intel的2倍还多的64核心。

麒麟9000使用的是 台积电5nm制程技术 ，而麒麟9010则采用了国产的7nm制程工艺。 从拆解后的技术细节来看，两个处理器的电路设计存在显著差异。 这表明 海思 在设计最新的麒麟芯片时，确实应用了国内自主开发的技术。

5nm和7nm的主要区别就是晶体管密度，前者每平方毫米的晶体管数量超过1.7亿个，较7nm提高了80%，生硬的数字很难理解，简单的说就是7nm能塞下三个G76核心的地方现在可以塞下五个了。

2020年1月13日 · 高通在2019 VLSI Symposium超大规模集成电路会议上表示，N7工艺让高通的骁龙855获得了30-35%的芯片面积红利（上代骁龙845实际上采用的是三星的10nm工艺），包括逻辑电路、SRAM区域与综合的芯片面积。 高通对比骁龙855的典型速度路径下，台积电7nm与三星10nm工艺的速度与功耗曲线。

2019年1月22日 · With 7nm (compared to 14nm), you could get 25% more performance under the same power, or you could get the same performance for half the power. This means longer battery life with the same performance and much more powerful chips for smaller devices since you can effectively fit twice as much performance into the limited power target.