因此， 业界一般称利用高K介质材料代替常规栅氧化层SiON和用金属做栅的技术为HKMG技术。 现在常用的技术为： 先栅工艺技术（GF），后栅工艺技术（GL）。

这10年间比较著名的关键技术就是 HKMG 和FinFet了，HKMG是Intel在45nm节点引入的（这几家里最早的），用于改善传统二氧化硅绝缘层的漏电，随后Intel 在22nm引入了FinFet（当时叫Tri-Gate）来加强栅极的控制能力。

2022年10月8日 · 利用高K介质材料代替常规栅氧SiON和金属栅代替多晶硅栅的工艺称为HKMG工艺技术， HK是HighK的缩写， MG是Metal Gate的缩写，也就是金属栅极。 利用高K介质材料HfO2和HfSiON介质材料代替SiON也会引起很多问题：

2024年7月1日 · The High-k/Metal-Gate Stack (HKMG) technology represents a seminal advancement in semiconductor fabrication, predicated upon the substitution of SiO2 with high-k...

2022年5月20日 · 本文详细介绍了HKMG（高K金属栅极）工艺技术，包括其在提升PMOS速度方面的应用，以及金属替代栅级的具体步骤。 工艺流程涉及CVD淀积、CMP平坦化、干法和湿法刻蚀、原子层沉积等技术。

2011年2月18日 · HK就是high-K栅介电层技术，而MG指的是metal gate--金属栅极技术，两者本来没有必然的联系。 不过使用high-k的晶体管栅电场可以更强，如果继续使用多晶硅栅极，栅极耗尽问题会更麻烦。 另外栅介电层已经用了新材料，栅极同步改用新材料的难度也略小一些。 所以两者联合是顺理成章的事情。 3.gate first和gate last. 现在CMOS集成电路制造用的是叫“硅栅自对准”工艺。 就是先形成栅介电层和栅电极，然后进行源漏极的离子掺杂。 因为栅极结构阻挡了离 …

2024年1月19日 · HKMG：微缩与性能的突破 随着器件尺寸不断缩小到45nm及以下工艺技术，栅极介质层SiON的厚度降低到2nm以下，为了改善栅极漏电流，半导体业界利用高k材料HfO2和HfSiON取代SiON作为栅氧化层。

2024年8月9日 · 高K金属栅工艺（HKMG）随着器件尺寸不断缩小到45nm 及以下工艺技术，栅极介质层 SiON的厚度降低到2nm以下，为了改善栅极漏电流，半导体业界利用高K介质材料HfO2和 HfSiON 取代SiON 作为栅氧化层。

2022年11月8日 · SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。 组成DRAM的晶体管 (Transistor)包括存储数据的单元晶体管 (Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管 (Core Transistor)，以及涉及控制逻辑和数据输入和输出的外围晶体管 (Peripheral Transistor)。 随着技术的进步，单元电容器和单元晶体管在提高DRAM存储容量方面取得了一些技术突破。 …

2020年10月11日 · 而三星有希望超越台积电的制程可能是3nm，因为三星是第一家官宣使用全新GAA晶体管的，在3nm节点将会用GAA环绕栅极晶体管取代FinFET晶体管，而台积电依然会使用FinFET技术。