In semiconductor manufacturing, the 3 nm process is the next die shrink after the 5 nm MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) technology node. South Korean chipmaker Samsung started shipping its 3 nm gate all around (GAA) process, named 3GAA, in mid-2022.

2017年9月29日， 台積電 宣布未來3 奈米 （nm）製程晶圓廠，落腳 台灣 台南市 的 南部科學工業園區，預計最快2022年量產 [3]。 台積電 於2020年第一季宣布3奈米製程將在2021年試產，並在2022下半年正式量產，其3奈米製程繼續採用 FinFET （鰭式場效電晶體） [4]。 2019年5月， 三星 表示其3奈米产品預計于2021年推出 [5]。 此后由于受到 2019冠状病毒病 疫情影響，三星的3奈米製程推出時程被延後到了2022年 [6]。 Intel在2019年洩漏的路線圖顯示，其3奈米製程預計 …

TSMC’s 3nm process is the industry’s most advanced semiconductor technology offering best power, performance, and area (PPA), and is a full-node advance from its 5nm generation. Following N3 technology, TSMC introduced N3E and N3P, enhanced 3nm processes for better power, performance, and density.

3nm的制造需要极高精度的光刻机，能把极紫外光束精准聚焦到几纳米大小，这种机器全世界也没几台，工具线好像特斯拉的超级工厂，稀缺得很。 还有生产良率的问题。

根据欧姆定律（其中是电流，是电压，是电阻），在相同的栅极电压和源漏电压下，较小的沟道电阻会使通过沟道的电流增大，即增强了 MOSFET 的电流驱动能力。 更强的电流驱动能力可以使电路更快地对信号进行响应和处理，提高了电路的性能和效率。 集成电路的发展趋势是在有限的芯片面积上集成更多的晶体管，以实现更复杂的功能。 较短的沟道长度意味着每个 MOSFET 占用的芯片面积更小。 通过缩小沟道长度，可以在相同面积的芯片上放置更多的晶体管，从而大大提 …

2024年12月4日 · 近日，据韩媒报道称，在下一代高带宽内存上，SK海力士将计划在HBM4内存中采用台积电的3nm工艺来制造基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需求。

2020年8月24日 · Contrary to Samsung’s 3nm process node which makes use of GAA (Gate-all-around) transistor structures, TSMC will instead be sticking with FinFET transistors and relying on “innovative features”...

2024年11月20日 · The term "3nm" refers to the size of the transistors within a chip, with smaller transistors allowing more to fit on a single die. 1.1 What Makes 3nm Unique? A 3nm process can pack up to 300 million transistors per square millimeter. Improved energy efficiency reduces power consumption by up to 30% compared to 5nm. 1.2 Why Shrinking Matters.

制程在不断提升至28nm，14nm，7nm，以至于3nm的过程中，可实现的技术复杂程度提升、芯片面积在缩小，最终实现的高科技电子产品也越来越强大！ 在 die本身…

IT之家 8 月 1 日消息，Alphawave Semi 公司最新研发出业界首款 3nm UCIe 芯粒（chiplet），为采用台积电 CoWoS 封装技术的系统级封装（system-in-packages，SiP）实现 die-to-die 连接。 该芯粒组面向超大规模、高性能计算和人工智能等高需求领域，让用户构建各种系统级封装。 Alphawave Semi 高级副总裁兼定制硅和 IP 总经理 Mohit Gupta 表示： 利用台积电的先进封装成功推出 3 纳米 24 Gbps UCIe 子系统，是 Alphawave Semi 的一个重要里程碑，在利用台积电 …