半导体芯片3D堆叠技术与TSV工艺 - 知乎 - 知乎专栏
硅通孔技术（TSV，Through -Silicon-Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，如图3 …
后摩尔时代的3D封装技术究竟是什么 - 知乎 - 知乎专栏
通过硅通孔（TSV）和微凸点技术的2.5D/3D封装，可以完成多芯片的高密度堆叠，为后摩尔时代集成电路发展提供了有力支撑。 TSV技术 可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联，这项技 …
一文看懂TSV技术 - 知乎 - 知乎专栏
TSV，是英文Through-Silicon Via的缩写，即是穿过硅基板的垂直电互连。 如果说 Wire bonding （引线键合）和 Flip-Chip （倒装焊）的Bumping（凸点）提供了芯片对外部的电互连， RDL …
半导体先进封装“硅通孔（TSV）”工艺技术的详解；-深圳市倍特盛 …
2024年11月21日 · 硅通孔技术，英文全称：Through-SiliconVia，简写：TSV，即是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5D/3D封装的关键 …
3D IC TSV製程技術簡介 - 材料世界網
近年來，半導體 3D IC製程以及 3D封裝廣泛的被很多國際研究機構與廠商重視，而在 3D IC的技術中，矽導通孔(Through Silicon Via; TSV)、晶圓接合技術、晶圓薄化、薄晶圓的拿取是整個 …
半导体大厂们掀起“3D堆叠大战”，3D芯片堆叠技术到底是什么？
2019年8月14日 · SoIC技术是采用硅穿孔 (TSV)技术，可以达到无凸起的键合结构，可以把很多不同性质的临近芯片整合在一起，而且当中最关键、最神秘之处，就在于接合的材料，号称是价 …
3D堆叠技术与TSV工艺 - 电子工程专辑 EE Times China
2022年1月26日 · 硅通孔技术（TSV，Through -Silicon-Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的IC封装键合和使用凸点的叠 …
3D IC-TSV技术与可靠性研究-【维普期刊官网】- 中文期刊服务平台
摘要 对三维(3 Dimension,3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术进行了详细的介绍,阐述了TSV的关键技术与工艺,比如对准、键合、晶圆减薄、通孔刻蚀、铜大马士革 …
TSV究竟是什么？ - 知乎专栏
2023年3月21日 · TSV (Through Silicon Via)中文为硅通孔技术。 它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的 …
Three-Dimensional Integrated Circuit (3D IC) Key Technology: …
2017年1月19日 · This review paper summarizes various TSV fabricated technologies for 3D integration, including the processes development, Cu filling methods of various applications, …